长鑫4F² DRAM突破，DDR5服务器内存年底量产，领先三星海力士

最近内存价格一路上涨，不少准备装机的人都有些头疼。就在这个节点，国产长鑫存储传来了一个值得关注的消息。

长鑫存储总裁曹堪宇在上海一场行业会议上透露，他们在下一代 DRAM 的 4F² 存储单元架构上已经取得关键进展，并计划今年年底推出采用该技术的 DDR5 RDIMM 服务器内存。

4F² 架构强在哪里？

目前主流 DRAM 仍采用 6F² 架构，长鑫研发的 4F² 架构理论上能让单个存储单元的占用面积缩小约 33%。也就是说，同样尺寸的芯片可以塞进更多存储单元，容量密度随之提升，单位容量的制造成本也有望下降。

同时，长鑫还用上了自研的 VSG 垂直环绕栅晶体管，以缓解芯片微缩过程中容易出现的漏电问题。

竞对节奏与市场反应

值得关注的是，三星、SK 海力士也在研发类似技术，但三星目前给出的量产目标是 2028 年。如果长鑫能如期推出产品，就有机会在这项技术的应用时间表上抢跑大约两年。

消息公布后，国际内存巨头股价明显承压。三星电子和 SK 海力士在韩国股市盘中双双跌超 7%，美光科技隔夜也下跌约 3.9%。

不过也要理性看待：长鑫目前尚未公布新内存的具体规格、良率和量产规模，距离真正的大规模商业化还有一段路要走。至于大家最关心的内存价格，短期内恐怕也不会因为这条消息就直接下降。

但至少在下一代内存技术上，国产厂商这次有机会走到前面了。