利普思获亿元融资推进车规SiC模块，瞄准AI算力电源新基建

高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。根据公司规划，本轮资金将主要用于在扬州布局专业化车规级SiC（碳化硅）模块封装测试基地，并进行市场推广。

利普思成立于2019年，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。你是否想过，新能源汽车充电为何越来越快？数据中心供电效率如何提升？这背后离不开功率半导体这一核心器件的迭代。

作为控制电能转换的核心，功率半导体的性能至关重要。与传统IGBT模块相比，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势。这些特性使得SiC在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及AI算力电源等高压高功率场景中，具备了更明显的效率优势。近年来，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代正在加速，其功率器件年复合增长率已超过30%。

利普思创始人兼CEO丁烜明表示，公司的SiC模块在高温、高压、高电流的复杂场景应用中，目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司及头部变压器企业实现稳定量产。公司计划在2026年进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。

除了汽车与光储充等新能源领域，AI数据中心正被视为SiC应用的下一阶段重要增长点。随着算力需求呈指数级激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出了前所未有的更高要求。基于SiC器件构建的固态变压器（SST），是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，这被认为是未来电力架构升级的主流方向之一。

目前，利普思的1200V-3300V多款SiC模块，已在多家国内外知名客户的SST方案中获得样品测试机会，部分项目正处在可靠性验证阶段。业界预计，相关产品有望在2027年前后迎来可观的放量增长。这也意味着，功率半导体技术正深度融入未来人工智能算力基础设施的底层构建。

海外市场已成为利普思另一个重要的增长引擎。公司于2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，并拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立了销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前，利普思的产品已出口超过20个国家，至2025年，公司海外销售占比已接近一半。

自成立之初，利普思便将技术创新作为核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。据悉，公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺。在封装结构上，利普思引入了ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，旨在降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。

利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并已通过汽车行业IATF16949质量体系认证。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。其无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只模块。

本轮融资后，资金将重点用于在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资达10亿元，规划年产能达300万只模块，其中一期产线预计2026年竣工、2027年3月正式投产。

丁烜明介绍，相比现有产线，扬州工厂将围绕“专业化车规级”标准进行全面升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计到2027年，扬州工厂将具备交付超过200万只模块的能力，以助力利普思加速布局电网和AI算力新基建。从车规到智能 & 数据 & 云基建，功率半导体的应用边界正在不断拓宽，值得技术从业者持续关注。欲了解更多硬件与前沿技术动态，欢迎访问云栈社区进行交流探讨。