三星、SK海力士升级中国NAND闪存工厂：286层V-NAND目标

10月21日，据路透社报道，三星电子和SK海力士正在升级位于中国的NAND闪存工厂。一方面是为了缩短与韩国本土先进产线的技术差距，另一方面，也与中国厂商长江存储的持续追赶有关。

其中，三星计划将西安工厂升级至286层的第九代V-NAND，SK海力士则计划将大连工厂的芯片升级至240层及以上。

三星西安工厂升级第九代V-NAND

报道称，三星位于陕西西安的工厂目前主要生产约200层的NAND闪存。三星准备通过代号为“Monami”的计划推进工厂升级，目标是在2026年12月实现每月5000片晶圆的产出，并在2027年12月将月产出提升至4万片。

三星表示，此次升级符合美国出口规定，主要是为了满足包括美国客户在内的全球市场需求，不涉及扩大生产产能或新建制造设施。

图源：路透社

SK海力士大连工厂向240层以上推进

与此同时，SK海力士计划将辽宁大连工厂的NAND闪存产品从目前的192层，升级至240层及以上。该司还计划向美国申请许可，在大连开展300层以上NAND闪存的研发，为未来在美国生产相关产品做准备。

此外，SK海力士也正在与特朗普政府讨论在美国建设新的NAND闪存工厂。

2021年，SK海力士收购英特尔的NAND闪存业务时获得了大连工厂，后来更名为Solidigm。Solidigm也正在准备在美国进行首次公开募股。

图源：路透社

不过，三星和SK海力士想要升级中国工厂，并没有那么容易。自2022年美国收紧半导体出口以来，两家企业在中国工厂安装部分美国制造的设备，例如蚀刻设备，都需要向美国申请相关许可证。

长江存储持续追赶 中国市场格局生变

而在此期间，长江存储在不断追赶。

2022年，长江存储公布了232层3D NAND技术，到了2026年，160层和232层NAND已成为了主要产品，且已少量生产294层产品，并计划进一步开发超过300层的NAND闪存。

根据TrendForce数据，2022年第四季度，三星在全球NAND闪存市场的营收份额为33.8%，SK海力士与Solidigm合计约为17.1%。到了2026年第二季度，根据Counterpoint Research数据，三星的全球营收份额降至28%，SK海力士为19%，长江存储则达到14%。

中国市场长江存储的增长更加明显。根据Omdia数据，2026年第二季度，长江存储的市场份额已达38.5%，超过三星的33.5%和SK海力士的17%。

消息数据来源：路透社、SK海力士、三星、长江存储。更多半导体行业动态可在开发者广场了解。

文章内容仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同。部分图文素材源于网络，侵权请联系删除。