兆易创新LPDDR4X量产在即：2025年存储业务布局与LPDDR5技术演进

兆易创新在2025年第三季度业绩说明会上宣布，公司将于明年实现自研LPDDR4X系列产品的量产，并已着手规划LPDDR5小容量产品的研发。值得注意的是，公司存储业务目前并未规划DDR5产品线。

今年第三季度，兆易创新业绩表现亮眼：营业收入同比增长31.4%至26.8亿元，环比增长19.6%；归母净利润同比大幅增长61.1%至5.08亿元，环比增长49%。受益于存储产品价格上涨，单季度毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%。其中，利基DRAM产品自一季度末价格回暖，下半年收入呈现显著增长态势，预计将超越MCU业务成为公司第二大产品线。

兆易创新董事会秘书董灵燕在业绩说明会上指出，DRAM产品的优异表现不仅得益于行业周期改善，更源于公司完善的料号布局和客户关系拓展。在产品方面，今年新量产的DDR4 8Gb产品快速抢占市场份额，第三季度销量已与DDR4 4Gb产品基本持平。客户拓展方面，公司在本轮供应紧张周期中积极构建长期战略合作关系，覆盖电视客户、工业领域（如电力）以及AI相关应用（包括服务器电源管理模块、RAID卡等利基场景）。

针对DDR5技术路线，兆易创新副董事长、总经理何卫明确表示，公司存储业务暂未规划DDR5产品。值得一提的是，长鑫存储在11月23日正式发布了最新DDR5产品系列，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb。何卫同时透露，兆易创新多年来对长鑫科技累计投资金额达23亿元。

对于当前存储市场行情，何卫分析认为："利基型DRAM市场呈现明显供不应求态势。在AI基础设施建设的推动下，主流应用（数据中心服务器、手机、PC等）对主流DRAM产品需求旺盛，海外大厂将产能转向HBM、DDR5等主流产品，导致利基型DRAM产能受限。预计涨价趋势将在未来两个季度延续，并在明年后续季度维持较高价格水平。"

在Flash业务方面，NOR Flash处于温和涨价周期，主要受益于代码量提升和端侧AI发展带来的容量需求增长。第三方咨询机构已将行业年复合增长率从5-7%上调至8%。同时，由于海外大厂将重心从2D NAND转向3D NAND，导致2D NAND供应短缺，兆易创新的SLC NAND产品已开始涨价。

在定制化存储解决方案领域，兆易创新进展顺利，年末已有部分项目进入客户送样和小批量试产阶段。预计明年将在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。公司坚信，定制化存储技术路线将在端侧AI时代获得广泛应用，市场潜力巨大。

目前，兆易创新定制化存储业务已覆盖包括国内手机厂商在内的众多端侧客户。