Vishay发布四款100V TMBS®整流模块，SOT-227封装，导通压降低至0.83V

近日，威世科技（Vishay Intertechnology）推出了四款采用第二代沟槽式MOS势垒肖特基（Gen 2 TMBS®）技术的新产品。这四款整流模块均采用紧凑且全绝缘的SOT-227封装，反向重复峰值电压（VRRM）为100V。具体型号与核心电气参数对比如下：

此次发布的新品包括 VS-QA100FA10（100A）、VS-QA200FA10（200A）和 VS-QA400FA10（400A）三款采用双二极管并联拓扑的模块，以及一款150A的单相桥式整流器 VS-QA150BA10。其最突出的特点是极低的正向压降（VFM），部分型号在额定条件下可低至0.83V，这一业界领先水平有助于显著降低功率转换应用中的导通损耗。

得益于行业标准的SOT-227封装，这些器件具备“即插即用”的特性，能够直接替换市场上的同类方案，从而便捷地提升现有设计的效率。

核心技术优势与应用场景

这些新一代TMBS整流模块集成了多项卓越的电气特性：

• 极低导通损耗：得益于Trench MOS Barrier Schottky技术，实现了超低的正向压降。
• 高电流能力：模块电流等级覆盖100A至400A，满足大功率需求。
• 优异的高温性能：最高工作结温（Tj）可达+150°C。
• 快速开关特性：具有可忽略不计的反向恢复电荷（Qrr），适合高频应用。

这些特性使其成为高频转换器和开关电源的理想选择，特别适用于以下功率转换场景：

• 焊接设备
• 工业开关电源（SMPS）
• 48V轻型电动车（LEV）
• 通信设备电源
• 大型电池系统中的阻流二极管

产品详解：以 VS-QA100FA10 为例

以100A型号 VS-QA100FA10 为例，其主要特性包括：

• 最高结温 (Tj) = 150 °C
• 集成两个完全独立的二极管
• 完全绝缘封装
• 采用沟槽式MOS势垒肖特基 (Trench MOS Barrier Schottky) 技术
• 超低正向压降
• 针对焊接及工业开关电源 (SMPS) 应用优化
• 易于使用和并联
• 工业标准封装外形（SOT-227）
• 通过UL认证（文件号：E78996）

电气特性曲线

以下曲线图展示了该系列二极管在不同条件下的典型性能，为工程师进行热设计和应用评估提供参考。

图1展示了典型正向压降特性（Vf-If），可以看到在不同结温（25°C， 125°C， 150°C）下的变化趋势。图2为典型反向电流与反向电压关系（Ir-Vr）。图3描述了结电容随反向电压变化的曲线（Cj-Vr）。图4则是允许的壳温随平均正向电流变化的电流额定特性曲线，分别给出了直流（DC）和占空比0.5的方波条件下的降额曲线，并标注了适用于80%额定VR的应用条件。

合规性与供货

VS-QA100FA10， VS-QA150BA10， VS-QA200FA10 和 VS-QA400FA10 均符合RoHS指令要求，并已获得UL认证（文件号E78996），确保了产品在工业应用中的可靠性与合规性。

对于从事电源设计，特别是对效率和功率密度有苛刻要求的工程师而言，Vishay这一系列新模块提供了性能升级的便捷选择。其标准的封装和优异的参数，有助于简化设计流程并提升最终产品的市场竞争力。如果你想了解更多关于硬件底层逻辑和计算机基础的知识，可以访问云栈社区的相关板块进行深入探讨。