三星HBM4量产在即，AI芯片关键内存竞争升温

据韩媒报道，三星电子计划于2月中旬开始量产其第六代高带宽存储器HBM4，并有望于农历新年后交付。

其初始市场份额预计在20%左右，三星有望成为首位HBM4的供应商。据韩联社报道，三星的HBM4数据传输速度高达11.7Gbps，远超JEDEC标准的8Gbps，比基准快37%，比之前的HBM3E（9.6Gbps）快22%。

但真正的竞争，远不止于首发，更在于后续持续、稳定的大规模产能。报道称，英伟达Rubin平台的客户交付将于2026年8月开始。

图源：《电子时报》

为此，三星已提高HBM4测试样品的供应量，并且在韩国平泽四厂（P4）大规模增设10nm第六代（1c）DRAM产线，规划到2027年第1季在P4中建构1c DRAM新产线，规划月产能12万片。作为对比，三星电子在2026年的月均DRAM产能为66万片晶圆，也就是说，新产线将占据其总产能的约20%。如果加上现有的6.5万片晶圆1c DRAM月产能，届时HBM4将占据约三星DRAM产能的25%。

在配套的HBM4 Base Die方面，平泽S5的4nm生产线已全面投产，为量产提供支撑。此外，三星还计划将华城Fab17的部分DRAM产线升级至1c制程，以满足移动设备、家电等对先进通用内存的需求。

图源：News1

与此同时，SK海力士也正在加速量产10nm第五代（1b）DRAM，并将其应用于第六代HBM4产品，最快有望在本月启动大规模量产，目标规模高达10亿颗DRAM。为满足英伟达对HBM4的需求，SK海力士正于M15X工厂新增相当于每月4万片晶圆的产能，并计划在M16工厂进行工艺转换，预计在今年年底前完成。

其实早在去年9月，SK海力士已宣布建立业内首个HBM4量产体系。但业内分析指出，由于英伟达提高了数据传输速度等性能要求，SK海力士不得不多次进行设计调整，因此其量产节奏比预期要慢。

相比之下，三星方面则强调，其HBM4“从研发初期到现在无需重新设计即可满足性能要求”，试图在技术成熟度上占据主动。

图源：SK海力士

据悉，2025年度的HBM4供货合同已基本敲定，SK海力士获得了最大份额，约为50%左右，三星获得20%左右。因此，谁能先交付完全符合英伟达性能标准、且具备规模化量产能力的HBM4产品，谁就能在激烈的市场竞争中抢占更有利的先机。

不过，三星和SK海力士的优势点各有不同。三星在单通道DRAM架构和系统性能方面更具优势，而SK海力士则在生产良率上表现更好。这对于HBM4这种高度集成的产品至关重要。由于HBM4单颗产品集成了多达12颗先进DRAM芯片，任何一颗DRAM的良率波动，其影响都会被成倍放大。

如果单颗DRAM良率低于90%，HBM4的整体良率就会显著下降，这将直接冲击成本、定价能力以及最终的营收表现。这场围绕下一代AI芯片关键内存的竞赛，已经从纸面参数进入了实打实的产能与良率比拼阶段。

消息数据来源：经济日报、路透社。本文由云栈社区编辑整理，仅供技术交流与讨论。