最高法维持禁令：英飞凌氮化镓（GaN）产品在中国市场遭全面禁售

日前，最高人民法院就临时禁令作出复议裁定，维持苏州中院此前的一审判决，正式禁止英飞凌相关氮化镓（GaN）产品在中国的销售、许诺销售及进口活动，并驳回了英飞凌提出的全部复议请求。

这项裁决意味着，这场横跨中、德、美三国的跨境半导体专利战，终于在中国市场迎来了终局。

本案始于2025年初，英诺赛科向苏州中院起诉英飞凌中国子公司及其代理商，指控其侵犯了两项自主研发的氮化镓核心发明专利，这些专利均涉及功率半导体的关键技术。

2026年5月27日，苏州中院作出一审宣判，认定英飞凌侵权事实成立，判令其立即停止相关侵权行为，同时需向英诺赛科赔偿经济损失1000万元人民币。英飞凌方面表示不服，随即申请复议。最高人民法院经审理后，于6月12日宣布维持原判，禁令即刻生效。

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作为全球氮化镓功率器件的龙头企业，英飞凌与中国本土厂商英诺赛科近年来在全球多个市场展开了激烈的专利拉锯战。2024年6月，英飞凌率先在德国慕尼黑法院起诉英诺赛科，并成功获得临时禁令，限制后者在德国销售涉案产品。而在2025年底至2026年5月期间，美国国际贸易委员会（ITC）在337调查中裁定英诺赛科部分产品侵权，但也明确指出现阶段其主流在售产品并不构成侵权。

此次在中国市场获得的禁令，可视为英诺赛科在全球专利博弈中的一次关键性胜利。

氮化镓作为第三代半导体的核心材料，其应用场景已相当广泛，从快充、服务器电源到新能源汽车等热门领域，均能看到它的身影，且相关市场规模仍在高速增长。业内人士普遍认为，此次判决将重塑国内GaN功率器件的竞争格局，英诺赛科的市场份额有望借此获得显著提升。

值得一提的是，在这场专利之争的另一面，英飞凌在五月底曾向客户发出一份通知，宣布计划自2026年7月1日起，对旗下部分芯片产品实施价格调整。

英飞凌在函件中解释道，受地缘政治紧张局势的影响，全球半导体供应链所涉及的能源、原材料、运输以及服务等各项成本均在持续攀升。尽管公司已在加速扩大产能，但仍然无法完全消化由此带来的成本压力，因此不得不将部分影响传递给客户及合作伙伴。

需要特别关注的是，这已是英飞凌在半年内发起的第二轮提价。早在今年2月，该公司就曾因功率开关芯片供应紧张及原材料成本上涨，宣布自4月1日起对功率元件进行首轮涨价，幅度约在5%至15%之间。连续提价背后的主要驱动力，是AI数据中心对电源芯片的需求远远超过了供给。英飞凌CEO约亨·哈内贝克在5月初的财报电话会上就直言：“AI热潮持续增强，我们面向AI数据中心的电源解决方案需求极为旺盛。”

当然，此轮涨价潮并非英飞凌的独家行动。德州仪器同样计划自7月1日起上调价格，涉及PMIC及MOSFET等产品；而国内厂商宏微科技也早已对IGBT产品进行了约10%的价格上调。

截至目前，英飞凌并未透露本次涨价的具体幅度以及所涉及的全部产品线。但有行业观察人士指出，功率器件、服务器电源管理芯片等与AI基础设施紧密相关的品类，预计将成为最先调价的对象。