英特尔揭晓XBM内存：UCIe链路32GT/s，HBM4成本新对手

据Wccftech报道，英特尔近期公布了一项关于其XBM（eXtended Bandwidth Memory）内存的新专利，被视为HBM4的替代方案，旨在提供更高的带宽。过去几年，HBM一直是AI加速器的标准配置，但如今部分产品已转向LPDDR，以在供应短缺、价格及功耗间找到平衡。

虽然LPDDR更高效、容量更大，却面临带宽不足的短板。此前高通曾提出HBC（Hybrid Bonding Connect）架构，将计算与高速内存带宽结合，采用3D堆叠芯片方案。相比HBM，HBC提供了更快、更高效且可扩展的处理能力。该方案中，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，底部集成近内存加速器单元，再借助硅通孔（TSV）技术在上方堆叠LPDDR DRAM。

今年初，英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过目前尚未进入商业化阶段。XBM则被认为是英特尔提出的HBM级竞争方案，预计2030年前后实现商业化。

根据英特尔描述，XBM采用后段晶体管设计，包含一个封装基板、一个可选的基础芯片以及堆叠的存储芯片。每个存储芯片基于1T1C（1晶体管+1电容）结构的DRAM，并将晶体管移至BEOL（后端金属互连层），以此提高面积利用率和TSV密度。相比传统前端晶体管DRAM，这一设计带来了显著的带宽提升。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，连接到一个速率达32 GT/s的UCIe I/O模块，成本比HBM4更低。单个XBM芯片容量在0.5GB至5GB之间，封装尺寸与HBM4保持一致。此外，XBM支持包括MoP在内的多种封装选项，这意味着在更小的形态尺寸下，仍能实现更高的带宽与容量。

从目标定位、性能指标和商业化时间表来看，业界普遍猜测XBM与ZAM之间存在紧密关联。

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