英特尔位于美国俄亥俄州新奥尔巴尼的 Ohio One 晶圆厂园区正在建设。图片来源：Intel
英特尔正通过加班奖励等措施加快美国俄亥俄州 Ohio One 晶圆厂园区建设，同时推进下一代嵌入式多芯粒互连桥‑硅通孔（EMIB‑T）封装技术。媒体与供应链消息称，EMIB‑T 封装环节良率已接近 90%，但配套基板良率仍约为 50%，成为扩大商业化产能的主要障碍。上述良率与成本数据尚未获得英特尔正式确认，但其官方披露的技术进展表明，先进封装已成为公司重建晶圆代工竞争力的重要支柱。
俄亥俄项目通过奖励机制争取建设进度
英特尔 2022 年宣布在俄亥俄州新奥尔巴尼投资超过 280 亿美元，建设两座先进晶圆厂，园区面积约 1000 英亩（约 400 公顷）。媒体报道称，项目承包体系开始向额外工时提供奖金，以加快土建和安装进度，并为后续先进制程设备导入预留时间。
根据英特尔此前公布的官方时间表，第一座厂房计划于 2030 年完成建设，并在 2030 年至 2031 年间投入运营；第二座厂房预计 2031 年完成建设、2032 年投入运营。英特尔同时保留根据客户需求加快工程的弹性。因此，加班奖励更接近对既定进度的执行强化，并不意味着项目已经提前进入量产阶段。
原报道将 Ohio One 与 Intel 18A、Intel 14A 等埃米时代制程联系起来。不过，具体节点、设备配置和量产节奏仍会取决于客户订单、公司资本纪律及其他先进制程基地的产能分工。
EMIB‑T 以局部硅桥和垂直供电面向大型 AI 封装
EMIB 采用嵌入封装基板内部的局部硅桥，在需要高速互连的位置连接计算芯粒和高带宽存储器，无需使用覆盖整个封装的大尺寸硅中介层。EMIB‑T 进一步在硅桥中加入硅通孔（TSV），使电源和高速信号能够沿更短路径垂直传输，从而改善超大尺寸 AI 封装的供电密度和信号完整性。
英特尔在 2026 年 IEEE 电子元件与技术大会上披露，EMIB‑T 已实现 25 微米第一层互连凸点间距，支持 120 毫米×120 毫米封装尺寸，可整合超过 9 个光罩面积的计算和存储芯粒，并面向 12 Gb/s HBM4E 与 64 Gb/s UCIe 互连。这些指标说明技术开发已从概念验证进入大尺寸系统整合阶段。
封装良率接近 90% 的说法仍需与基板良率区分
供应链消息称，EMIB‑T 封装组装良率已接近 90%，但基板制造良率仍约为 50%。这两个数据对应不同环节：前者主要反映芯粒、硅桥和封装组装后的可用比例，后者则涉及基板腔体加工、硅桥嵌入、积层材料、线路对准和翘曲控制。只要基板良率偏低，最终可交付封装数量和单位成本仍会受到明显限制。
包括欣兴电子、Ibiden 和 Shinko Electric Industries 在内的基板供应商被认为参与相关供应链。大尺寸封装需要更严格的平整度、热机械稳定性和高密度布线能力，供应商必须在提升良率的同时扩充产能，才能支持 EMIB‑T 从样品和小规模项目转向稳定量产。
媒体还估计，EMIB‑T 因不使用完整硅中介层，成本可能较 CoWoS 低 40% 至 50%。这一比较尚无统一客户规格和量产账本支持，实际成本仍会受到封装尺寸、HBM 数量、基板层数、测试要求和良率影响，不能简单视为所有项目的固定价格差。
CoWoS 供给紧张推动客户采用多平台策略
AI 加速器对先进封装的需求快速增加，台积电 CoWoS 产能持续处于高负荷状态，为英特尔 EMIB 争取外部客户提供了窗口。中国台湾地区芯片设计公司联发科已公开表示，其定制芯片业务同时支持台积电 CoWoS 和英特尔 EMIB，客户可依据产品需求选择封装平台。
现有公开资料能够确认的是联发科支持 EMIB 平台，但尚不足以证明其已在具体 ASIC 项目中正式采用 EMIB‑T。与此同时，另有媒体称台积电正与中国台湾地区载板厂景硕探索类 EMIB 方案，相关项目尚未得到双方正式确认。上述动向反映出客户正在把封装平台多元化视为降低产能与供应风险的手段。
产业观察：先进制程与封装必须同步兑现
俄亥俄晶圆厂与 EMIB‑T 分别对应英特尔制造战略的前端与后端。
前者需要证明公司能够以可控资本开支建设并运营先进制程产能，后者则需要证明其能够把多芯粒、HBM 和超大基板整合为具有稳定良率、可预测成本和充足产能的封装平台。两项能力缺一不可。对于 AI 芯片客户而言，选择封装方案不仅取决于单次报价，还包括设计生态、芯粒接口、热管理、测试覆盖、可靠性和长期供货。EMIB‑T 在局部硅桥、垂直供电和超大尺寸封装方面具备差异化潜力，但基板良率能否由约 50% 持续提升，以及媒体所称 2027 年规模供应目标能否兑现，将决定其能否真正成为 CoWoS 之外的成熟替代方案。
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