8 月 12 日消息,据韩国媒体 Sedaily 报道,存储芯片大厂 SK 海力士已重启其子公司 Solidigm 位于中国大连的 NAND Flash 闪存生产基地二厂建设,当地产能预计将因此提升约 50%。
早在 2020 年 10 月 20 日,SK 海力士与英特尔在韩国共同宣布签署收购协议。根据协议约定,SK 海力士将以 90 亿美元收购英特尔的 NAND SSD 业务、NAND 部件及晶圆业务,其中也包括英特尔位于中国大连的 NAND 闪存制造工厂。英特尔仍将继续保留其特有的傲腾业务。
2021 年 12 月 22 日,中国国家市场监督管理总局有条件批准了 SK 海力士对英特尔 NAND 业务的收购,这笔交易正式获得全球主要监管机构批准。SK 海力士将收购资产独立为子公司 Solidigm。
2022 年 5 月 16 日,爱思开海力士·英特尔 DMTM 半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式,从事非易失性存储器 3D NAND Flash 芯片产品的生产。这也正是 SK 海力士位于大连的二厂。不过,项目宣布后,因美国对华半导体出口管制导致设备采购受阻,加上存储器行业低迷,该厂曾长期停工。

最新消息显示,今年上半年,SK 海力士已恢复对大连二厂的投资并重启施工,预计最早将在今年 11 月开始搬入生产设备,目标是在明年上半年建立量产体系并开始生产 NAND Flash。
业内消息人士透露,SK 海力士大连二厂计划配置与现有一厂相同的设备,预计晶圆投片产能将达到每月约 5 万片。而大连一厂现有产能为每月 10 万片,这意味着 SK 海力士在大连当地的产能将增加约 50%。
SK 海力士重启大连二厂建设的背景,是全球人工智能(AI)快速发展带动大型数据中心需求持续增加,企业级固态硬盘(eSSD)需求激增,进而推动 NAND Flash 价格在一年内暴涨近 10 倍。
SK 海力士将通过此次扩产实施双轨生产战略。大连工厂将专注于基于成熟技术、采用浮栅(Floating Gate, FG)结构的 100 层级别 NAND Flash 生产,以提高生产效率;而 300 层以上的高端 NAND Flash 产品则将集中在韩国清州 M17 工厂等国内生产基地进行。此前,SK 海力士已宣布将向清州 M17 工厂投资 19.1 万亿韩元,计划于 2028 年底建成首个洁净室并生产下一代 NAND 产品。
来源 | 芯智讯
后续若有设备搬入与量产节点的新消息,云栈社区也会持续跟进。
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