铠侠闪迪发布第九代BiCS FLASH 2Tb QLC：面向AI与数据密集型负载

铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）联合宣布推出第九代 BiCS FLASH 2Tb QLC 闪存技术，目标直指 AI 驱动基础设施中持续攀升的存储需求。这项技术展示了架构层面的创新，如何在匹配 AI 工作负载所要求的高速演进的同时，兼顾更高效的制造方式。

第九代 BiCS FLASH 2Tb QLC 闪存引入 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将 CMOS 逻辑电路与存储阵列分别制造在独立的晶圆上，再通过高精度晶圆对位工艺完成键合。由此带来的直接收益是 NAND 接口速度提升至 4.8 Gb/s，相比第八代产品提高了 33%，为云端和数据密集型应用提供了更快部署的先进存储方案。与上一代 BiCS FLASH 2Tb QLC 相比，新方案借助六平面架构和性能优化，实现了更高的读写带宽，同时功耗表现也进一步改善。

铠侠方面表示，将基于第九代 BiCS FLASH 的新一代高性能 QLC 3D 闪存技术引入产品路线图，是一个重要的里程碑，也印证了与闪迪合作的持续实力。通过充分释放 CBA 技术的灵活性，双方正在打开 NAND 闪存创新的新空间，帮助客户应对 AI 时代不断膨胀的存储需求。

目前铠侠在并行推进两条差异化的产品路线：第九代 BiCS FLASH 闪存解决方案以较低的投资成本提供高性能表现；第十代 BiCS FLASH 闪存解决方案则借助先进的层叠技术，追求超大容量与更卓越的性能。这种双线并行的策略，本质上是在用不同的成本结构去覆盖更宽的应用区间——从对性价比敏感的通用负载，到对容量与带宽都极为苛刻的 AI 基础设施场景。