三星HBM长协价仅为现货1/5 未来5年七成产能已锁定

据韩国经济日报（SEDaily）8月31日报道，随着人工智能建设对高带宽内存（HBM）的需求持续攀升，三星电子已通过长期供应协议（LTA）锁定了高达70%的存储器产能，合同期限一路延伸到2031年。这一动作正在深刻改写传统内存市场的周期性剧本——现货价格与长协价之间的价差竟然高达4到5倍。

长协模式锁定更多产能，价格却只有现货的1/5

三星电子在7月30日的第二季度财报电话会议上对这项规划做了明确披露。公司计划将总生产能力的60%至70%通过LTA进行分配，目前已经与全球前五大数据中心客户完成合同签署，另有5家主要客户正处于最终谈判阶段。据SEDaily报道，这些LTA的核心客户包括微软（Microsoft）、英伟达（NVIDIA）和谷歌（Google）。

三星内存业务负责人金在俊（Jaejune Kim）在电话会上直言：“几乎所有客户都在寻求LTA，我们在可用产能范围内很难满足所有供应请求。”他进一步透露，为了保证供应灵活性，公司计划把总产能的约60%-70%分配给LTA，合同期限以5年为基本单位，采用“滚动”方式每年协商续约，同时引入预付款条款来增强合同约束力。

分析师指出，LTA正在成为消除内存市场周期性波动的关键变量。长期协议一方面为供应商提供了稳定的需求可见性，另一方面也为大型科技客户锁定了未来数年的关键部件供应。

不过，长协价与现货价之间的落差相当惊人。据SEDaily披露的数据，36GB容量的HBM3E模块在现货市场单价约为287万韩元（约合2100美元），而相同产品的LTA协议价仅在50万至70万韩元区间——两者相差4到5倍。

DRAM价格仍在上涨

韩国贸易协会的数据显示，7月份DRAM出口数量为5.9174亿个，同比下降13.2%；但出口额却达到135.5亿美元，同比增长18.5%。出口单价从16.76美元飙升至22.9美元，涨幅达36.6%。

这种“量降价升”的悖论背后有多重因素在起作用。随着HBM4量产的推进，新一代HBM需要消耗更多DRAM层数（16层），而初期良率低于成熟的HBM3E，导致生产过程中消耗的DRAM晶圆大幅增加。这不仅让HBM4初期成本居高不下，也挤压了通用DRAM的供给。

举个例子，正在逐步量产的HBM4 16层堆叠产品，在非长协渠道的价格已经达到480万韩元（约合3500美元）。随着HBM4进入大规模生产阶段，HBM平均出口单价从第一季度的40.94美元跳升至第二季度的60.22美元，涨幅约47%。

韩国半导体产业协会专务安基贤也解释说：“HBM每次升级换代，良率都会出现阶段性下降。HBM4价格已经是前代产品的两倍左右，企业在增产过程中消耗的DRAM量也随之增加，最终导致整体出口量减少。”

与此同时，三星等厂商把大量产能通过LTA锁定，进一步加剧了现货DRAM市场的供应紧张。

供应紧张仍将持续

三星高管在财报会议上预计，AI引发的存储器供应短缺可能持续到2028年。新建晶圆厂从开工到真正投产通常需要3年以上时间，这意味着2028年之前很难出现显著的新增供给。

韩国贸易协会首席研究员都元彬指出：“半导体产品生产出来即被全部出口，短期内难以扩大产能，单价走高是不可避免的趋势。”

面对持续紧绷的供应形势，韩国两大存储器厂商正在加速产能扩张。三星电子正考虑将平泽园区的S5代工生产线转换为存储器生产设施；SK海力士则在探讨与日本企业合作建立合资工厂的可能性。

SK集团会长崔泰源在出席日本仙台举行的韩日商工会议所会长团会议时透露：“（SK海力士）正在探讨在日本设立半导体合资工厂的方案。”

小结

随着长协模式的深化和产能锁定的延续，内存市场正从传统的周期波动走向结构性供给格局。但对于没能锁定长协的买家而言，现货市场的高昂价格与供应紧张局面，短期内恐怕还会继续。对存储产业后续走势感兴趣的朋友，也可以到云栈社区和同行一起交流。