EEPROM和Flash区别这样讲，我早就懂了

存储器大致分为两大类：RAM 和 ROM。RAM 这里先不展开，我们主要看 ROM。

ROM 最初不能编程，出厂时是什么内容就永远是什么内容，非常不灵活。关于 RAM 与 ROM 的基础对比，可以参考这篇《单片机中的RAM vs ROM》。

后来出现了 PROM，可以自己写入一次。要是写错了，只能换一片，自认倒霉。

人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的 EPROM。但每次擦除都要把芯片拿到紫外线下照一会儿。试想一下：你往单片机里下了一个程序，发现某个地方需要加一句话，就得把单片机放到紫外灯下照半小时，然后才能再烧一次。这么折腾，一天也改不了几次。

历史的车轮继续前进，伟大的 EEPROM 出现了，拯救了一大批程序员。终于可以比较随意地修改 ROM 中的内容了。

EEPROM 的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，英文为 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它是相对于紫外擦除的 ROM 来说的。不过到今天，EEPROM 已经出现了多种变种，成了一类存储器的统称。

狭义的 EEPROM

狭义 EEPROM 的特点是：可以随机访问和修改任意一个字节，也能往每个 bit 写入 0 或 1。这是最传统的一种 EEPROM，掉电后数据不丢失，通常可以保存 100 年，擦写约 100 万次。它的可靠性较高，但电路复杂、成本也高。因此目前这类 EEPROM 容量多在几十 KB 到几百 KB，极少有超过 512 KB 的。

例如我们常见的 24C02：

广义的 EEPROM

Flash 属于广义的 EEPROM，因为它同样是电擦除的 ROM。不过为了和按字节擦写的一般 EEPROM 区分，我们通常直接叫它 Flash。

Flash 的改进在于：擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。这样一次简化了电路，数据密度更高，成本也更低。上兆字节的 ROM 一般都是 Flash，比如 W25Q128JVSIQ：

Flash 又分为 NOR Flash 和 NAND Flash。

NOR Flash

NOR Flash 的数据线和地址线分开，可以实现类似 RAM 的随机寻址，能读取任意一个字节。但擦除时仍要按块进行。典型型号依然是 W25Q128JVSIQ。

NAND Flash

NAND Flash 同样按块擦除，但数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取时只能按页进行——也就是说，NAND Flash 按块擦除、按页读，而 NOR Flash 没有页的概念。例如 W29N01HVSINA：

由于 NAND Flash 引脚复用，其读取速度比 NOR Flash 慢一些，但擦除和写入速度却快很多。NAND Flash 内部电路更简单，所以数据密度大、体积小、成本低。大容量 Flash 基本都是 NAND 型，而 2～12 MB 这类小容量 Flash 多是 NOR 型。

寿命方面，NOR Flash 的擦除次数通常是 NAND 的数倍。而 NAND Flash 可以标记坏块，让软件跳过坏块继续使用；NOR Flash 一旦损坏，基本上就无法再用了。

由于 NOR Flash 支持字节寻址，所以程序可以直接在 NOR Flash 中运行。嵌入式系统通常用一片小容量 NOR Flash 存储引导代码，再用一片大容量 NAND Flash 存放文件系统和内核。