长鑫G6 DRAM再缩30%：DUV逼近极限，首用键合工艺

国产 DRAM 厂商长鑫科技下一代内存技术平台 G6 的技术指标预测，近日在业界流出。

该方案显示，长鑫将继续采用 DUV 光刻工艺生产 G6 代内存，预计最快于 2028 年推出。芯片单元面积将从 G5 代的 0.00128205 平方微米进一步缩减至 0.000896 平方微米，缩减幅度达 30%。

在缺乏 EUV 光刻机的条件下，长鑫正通过深度优化 DUV 工艺组合，逼近该技术的物理极限。

根据 Frederick Chen 发布的预测数据，G6 的单元面积微缩，将依靠继续优化 193 纳米 DUV 浸没式光刻机，并结合自对准四重图案化（SAQP）技术来实现。部分层级则采用自对准双重图案化（SADP）工艺。

从工艺节点指标来看，G6 的 WL（字线）间距将从 G5 的 33.3 纳米进一步收紧至 28 纳米，BL（位线）间距从 38.5 纳米降至 32 纳米，AA（有源区）间距从 23.9 纳米降至 20 纳米。

光刻胶方案同步升级：AA 切割层将从 193i LE4 升级为 193i LE4 或 X-SADP，位线接触层也引入 X-SADP 选项。

键合工艺的首次引入，是 G6 方案中最关键的技术变量。 预测表格中，G6 的 M0 层标注为“193i LELE bonded”，意味着长鑫计划通过晶圆级混合键合方式，将 DRAM 存储阵列与外围逻辑电路解耦制造后再堆叠互联。

这一思路与长鑫在 4F² 架构上的技术布局高度吻合。长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上曾明确表示，4F² 架构的核心突破之一，就是将 DRAM 与 CMOS 工艺解耦，再通过晶圆级混合键合实现高速互联。这是 DRAM 从二维缩放迈向三维集成的关键转折点。长鑫预计今年年底将推出融合该技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。

G6 可能是 6F² 内存芯片结构的最后一代产品。预测指出，长鑫已提前布局 3D 内存技术，其 3D DRAM 堆叠层数可达 64 层以上。预计 2030 年后推出的 G7 代产品，可能转向 4F² 结构或 3D 内存架构。

说到内存，AI 催生的存储危机，正在让 PC 厂商的产品规格全面倒退。

技嘉日前宣布 B760 和 H610 两条主板产品线将支持 Intel LGA 1700 插槽“即将推出”的全新处理器。该系列新品预计 2027 年初上市，新芯片将支持 DDR4 内存。

这也意味着 Intel 正在重启其在 2024 年放弃的 DDR5-only 路线。

LGA 1700 插槽 2021 年随 12 代 Alder Lake 首发，同时支持 DDR4 和 DDR5。Intel 在 2024 年转向 DDR5-only 策略，如今重新带来双规格支持。

LGA 1700 的跨代兼容性在存储危机背景下变得至关重要。Intel 的策略很直白：让用户不必同时购买新 CPU 和昂贵的 DDR5 内存。

DDR4 于 2014 年进入市场，正常情况下为新硬件购买十年前的技术并不划算，但存储危机改变了这笔账。

即便 DDR4 当前价格已高于 2025 年年中的水平，其受到涨价冲击的程度仍远小于 DDR5。DDR5 在速度和能效上确有优势，但以目前的价格门槛来看，未必值得用户买单。

AMD 走的是同一条路。今年 8 月，技嘉已宣布推出面向 AMD 上一代支持 DDR4 的 AM4 平台新系列主板，配合 5800X3D 十周年重新发布。

厂商方面，三星电子明年约 80% 的存储芯片产能已被长期供应协议提前锁定。英伟达、谷歌、微软等全球科技巨头，均已签署覆盖五年以上的芯片供应协议。尚未签约的企业，只能争夺剩余约 20% 的产能。

三星电子在第二季度财报电话会议上坦言：几乎所有主要客户都在要求签署长期供货协议，公司难以满足所有需求。这一态势并非三星独有。

SK 海力士已与约 10 家核心客户完成长约协商；美光的战略客户协议数量，从二季度的 16 份增至三季度的 26 份；闪迪也已与包括多家大型科技公司在内的 8 家客户签订长约。

长约风潮正从存储芯片向 AI 基础设施全产业链蔓延。据悉，三星电机即将与台达电签署价值 7000 亿韩元（约合人民币 35.5 亿元）的 MLCC 长期供应协议，这将是其今年完成的第七份此类协议。

LG Innotek 正就 FC-BGA 封装基板长约展开谈判。HD 现代电气正推进数据中心变压器的长约谈判。LG 电子则与美国 AI 数据中心基础设施公司 Air 签署了价值 5 万亿韩元（约合人民币 253 亿元）的冷水机组供应合同。

需要指出的是，供应商议价权已显著向卖方倾斜。五年成为长约的标准基础期限，并附带每年滚动续签条款；预付款比例通常达 20% 至 25%，同时搭配强制采购条款——即便客户未能提货，也须按约付款。

首尔大学电气与计算机工程系教授 Choi Woo-young 警告：若存储市场陷入低迷，客户可能要求重新协商合约，供应商将别无选择，只能放宽现有条款。

在全球内存芯片产业中，三星、SK 海力士及美光三巨头占了近 90% 份额。排名第四的长鑫科技份额虽在 10% 以内，但正在给三巨头制造压力，SK 海力士已经表现出紧迫感。

据韩国媒体报道，SK 海力士 CEO 崔泰源日前表态：将在所有可能扩建内存产能的地方扩建。他担心全球存储芯片市场中美国及中国公司的快速追赶，强调韩国也需要官民合作加快半导体工厂扩建。

他重点提到两家中国公司——做内存的长鑫科技与做闪存的长江存储。他认为这两家公司正凭借本国强大的需求，快速追赶 SK 海力士等同行。

崔泰源直言：如果放任不管，这些公司全都会被追上，中国公司正在以飞快的速度追赶上来。

在他看来，原本应该是激烈竞争的局面，但在中国市场上 SK 海力士的扩张受阻，竞争难以有效进行。崔泰源表示，当前的需求巨大无比，但没法增加工厂产能才是问题。

对于崔泰源的表态，需要弄清楚一点：他提到的在中国扩产受阻，根源并不在国内，并非我们不欢迎投资。实际上，是韩国遵从了美国的制裁，自己没法在国内扩产。即便有阻止他们扩产的，那也是美国，但韩国公司又绝对不敢直接向美国抱怨。

其次，SK 海力士抱怨扩产受阻这一点就很可疑。他们遵从美国制裁，无法在中国市场扩产，但在韩国及美国的投资并没有受阻，设备更没有任何制裁。不能快速建厂扩产，问题得从自身找——到底是没法快速建厂，还是不愿看到产能扩大后内存价格快速下滑？

至于担忧中国公司追赶太快，这更没什么可说的。甚至可以说，两长（长鑫、长江存储）能有机会发展起来，就是三星、SK 海力士及美光太过贪婪所导致的。内存一年涨价 5 到 10 倍，仅三星和 SK 海力士今年的净利润加起来，估计要奔着 5000 亿美元去了。

如果不是它们如此逐利，在内存、闪存低价行情下，两长是没机会发展的。现在倒好，搞到 SAQP 四重图案化技术都有性价比了。

具体产品层面，据 TrendForce 最新报告，CPU、内存和 SSD 三大件已占一台 900 美元（约合人民币 6022 元）主流笔记本物料成本的 68%。厂商被迫在涨价、缩水、硬扛之间三选一。2027 年全球笔记本出货量预计将出现个位数下滑。

2026 年初，得益于 CPU 供应改善、厂商提前备货以及消费者提前释放换机需求，笔记本出货量还算过得去。但这不代表市场真正回暖——部分消费者只是把原计划后面的换机提前了，后续季度的需求已经被透支。

更麻烦的是，低成本库存正在耗尽，厂商不得不面对 CPU、内存和 SSD 价格全面上涨的压力。TrendForce 数据显示，2026 年三季度这三大件合计占 900 美元笔记本 BOM 的约 68%。

在此之下，厂商现在面临三条路：终端涨价转嫁给消费者，但会削弱需求；自己扛成本保价格，但要牺牲利润；降低配置保价格，但会削弱产品竞争力。

TrendForce 预计，如果 CPU 和内存价格持续高位，2027 年全球笔记本出货量可能从低位个位数下滑，恶化为高位个位数下滑。目前预测基准是低位个位数跌幅，但前提是价格不再继续上涨。

生产端也在调整。由于生产和供应链管理成本上升，厂商可能重新评估制造策略。TrendForce 预计，全球笔记本在中国以外地区的产能占比，将从 2025 年的 24% 降至 2026 年的 21%，甚至可能跌破 20%。