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发表于 昨天 22:54 | 查看: 5| 回复: 0

在2026年开放计算项目(OCP)全球峰会上,英特尔正式对外公布了硅光子技术愿景,以及已经具备高量产能力的300毫米(12英寸)硅光子晶圆方案。

英特尔OCP全球峰会300毫米硅光子晶圆技术演示

英特尔数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝(Nic Dubé)把硅光子称作下一代系统的"黄金之锤"。他还强调,英特尔目前是唯一能够以300毫米磷化铟(InP)硅光子技术、面向全行业大规模供货的高产能晶圆代工厂,相关能力可用于面向 AI/HPC 的近封装光学(NPO)与共封装光学(CPO)应用。

杜贝进一步指出,芯片行业在传输距离、封装边缘带宽密度与每比特能耗三个维度上同时撞上瓶颈,而硅光子恰好是一条可以同时化解这些约束的技术路径。在急速扩张的 AI 与高性能计算(HPC)集群里,海量 GPU、CPU 与内存池之间的数据搬运效率,正直接牵制着系统整体性能的进一步提升。

当前光学收发器市场上,激光芯片与磷化铟材料长期供不应求。作为直接带隙材料,磷化铟更是硅光子系统里不可或缺的光源基础。但目前行业常规的磷化铟衬底尺寸仍停留在150毫米级别,与硅基 CMOS 标准的300毫米之间存在明显落差。

英特尔的做法是把磷化铟光源技术整合进300毫米硅晶圆制程,借此拉高制造效率与产能规模。按照英特尔规划,这些300毫米晶圆将承载面向 HPC 与 AI 领域、未来 NPO 与 CPO 功能所需的尖端硅材料。

集成激光器的可靠性数据,则是英特尔构建竞争力的另一根支柱。自2016年投入商用以来,英特尔在硅光子领域累计出货超过800万个光学收发器,以及3200万个集成激光器。

相关学术会议论文披露的测试数据显示,英特尔混合激光器在加速寿命测试中展现出低于0.1 FIT 的失效率,并基于超过600万个现场部署激光器的三年数据验证了长期可靠性。对于那些需要集成光源且要求"免维护"的系统设计来说,这种经过大规模部署验证的记录,构成了实质性的准入门槛。英特尔同时表示,将推动外部光源的社区标准,为行业提供由美国晶圆厂制造的多波长光源。

在系统层面,英特尔的野心并不止于提供更高带宽的互连管道。该公司声称将提供先进的互连拓扑,并在运行时对不同类型的 CPU、GPU 与内存池资源进行编排,以适配持续膨胀的 AI 模型规模。

能耗目标是其中最具标志性的指标:英特尔预计光子学系统能耗可降至5 pJ/bit 以下,这一数字被业界视为期待已久的门槛。在2026年光纤通信大会(OFC)的相关披露中,英特尔面向 AI scale-up 场景的光学计算互连芯粒,同样将端到端功耗效率目标设定在5 pJ/bit 以下,带宽密度目标则超过1 Tb/s/mm。

值得注意的是,早在2022年,英特尔实验室就已经展示了在300毫米混合硅光子平台上制造的8波长分布式反馈(DFB)激光器阵列,当时就强调这一成果可以利用现有晶圆厂制程实现规模化生产。如今,英特尔在 OCP 2026上的"黄金之锤"叙事,实质上是把这条制造路线图推向产业化前台,并试图将英特尔代工定位为整个行业硅光子晶圆的底层供应商。

杜贝也坦言,围绕硅光子成为行业标准的讨论已经持续了一段时间,但他表示英特尔团队正在"夜以继日"地推动这项技术在未来几年内真正落地。

对英特尔来说,真正的问题是:当一家公司同时扮演芯片设计者、系统架构推动者和代工产能提供者三重角色时,其"服务整个行业"的承诺到底能在多大程度上获得生态伙伴的信任?这个问题,仍有待时间给出答案。




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