存储芯片价格飙升，MicroSD卡槽或将在旗舰手机中回归以控制成本

在众多被淘汰的手机功能中，MicroSD卡（又称TF卡）扩展存储的能力，无疑是许多用户怀念的实用设计之一。

MicroSD卡插槽的核心价值，在于为用户提供了一种低成本、灵活的外部存储扩展方案，无需依赖或占用设备昂贵的内置存储空间。在功能机时代，它是存放音乐、照片等多媒体文件的必备选择。然而，近年来，为了追求机身一体化设计、提升防水防尘等级以及推广高利润的大存储版本，主流安卓旗舰手机厂商，如三星（自Galaxy S21系列起）、华为（自Mate 20系列起）等，已陆续在旗舰产品线上取消了这一接口。OPPO、vivo、小米等品牌的顶级机型也基本遵循了这一趋势。

尽管旗舰机型已将其抛弃，但在中低端手机、千元机以及部分游戏掌机等设备上，MicroSD卡插槽依然是高度依赖的功能。而根据国际科技媒体Wccftech的最新报道，这一“古老”的接口未来有可能在高端机型中重新出现。

报道指出，驱动这一潜在变化的核心原因是全球存储芯片市场的剧烈波动。受AI算力需求爆炸式增长影响，企业级高带宽内存（HBM）产能持续紧张，这导致上游晶圆厂将更多产能分配给HBM，进而挤压了消费级NAND闪存的供应，引发价格飙升。

以闪存巨头闪迪为例，其在2025年内已连续三次上调NAND闪存产品价格，且涨幅逐次扩大：4月首次全系涨价10%，9月初再次普涨10%，而11月的第三次调价幅度高达50%，彻底打破了市场预期。业内分析认为，12月的合约价仍将维持上涨趋势。

目前业界的共识是，这并非短期波动，而是一场“持久战”。多方消息指出，DRAM的短缺和涨价趋势至少会持续到2027年。这一局面已直接冲击到智能手机的内存芯片供应链。据报道，由于移动DRAM价格飞涨，三星负责手机业务的MX部门已与集团内负责半导体制造的DS部门进行紧急谈判，希望签署长期供应合同以稳定成本和供应。但DS部门拒绝了这一请求，选择每季度重签合同，以抓住市场短缺的机遇提升销售额。当前，每块12GB LPDDR5X芯片的价格已从年初的约33美元飙升至估计70美元。

正是在此背景下，为了在存储芯片价格持续飙升的环境中有效控制整机成本和最终售价，安卓手机厂商正在重新评估为旗舰机重新引入MicroSD卡槽的可行性。对于厂商而言，直接采用大容量内置存储方案将显著推高BOM（物料清单）成本。若支持扩展存储，厂商可以继续提供128GB等小容量起步版本，将起售价维持在较低水平。对存储有更高需求的用户，则可以自行购买性价比更高的第三方MicroSD卡进行扩容。这种策略有助于厂商在维持出货量和收入的同时，也为价格敏感型用户提供了更灵活的选择。简而言之，恢复卡槽可以降低手机厂商对高容量、高价内置闪存的直接依赖。

从技术层面看，如今的高性能MicroSD卡也已今非昔比。全新的MicroSD Express标准提供了高达近800MB/s的读写速度，例如三星的512GB P9 Express存储卡。这一速度已经接近甚至超过了部分老旧机型的内置存储性能，彻底消除了早期扩展卡存在的速度瓶颈。

用户需求方面，对高性价比扩容方案的需求始终存在。当前手机厂商提供的1TB版本通常比512GB版本溢价近千元，而通过MicroSD卡实现同等扩容仅需数百元，后者无疑是更具吸引力的选择。不过，考虑到产品研发周期，目前已在规划或生产中的旗舰机型基本无缘此设计变更。业界预计，最早要到2026年下半年，我们才有可能看到支持MicroSD卡扩展的新一代旗舰手机面世。