长鑫存储与长江存储同步扩产，揭秘国产DRAM、NAND与HBM产能布局

据多家媒体报道，国内两大存储芯片巨头——长鑫存储与长江存储，在近期几乎同步启动了新一轮的产能扩张。这不仅是简单的增产，更是对市场未来需求的明确回应，以及在全球产业链中争夺更有利位置的关键一步。

扩产背后的直接驱动力，无疑是市场需求的上扬。随着全球服务器、个人电脑、汽车电子以及各类智能终端的出货量逐渐回升，国内市场对 DRAM（动态随机存取存储器）与 NAND（闪存）这两类核心存储芯片的采购需求正在持续增长。能否抓住这波需求，直接关系到企业的市场份额与未来话语权。

长鑫存储：瞄准服务器与HBM，上海新基地雄心勃勃

长鑫存储正在上海规划建设全新的制造基地。据悉，该基地规划的产能规模，预计将达到其合肥总基地现有产能的 2至3倍。其产品将主要聚焦于满足服务器、个人电脑、车用电子及其他高端消费电子产品所需的 DRAM 芯片。

图源：经济日报

新工厂预计将于今年下半年开始安装核心设备，并计划在2027年实现正式量产。除了主流的DRAM产品线，长鑫存储还计划在上海基地同步扩充 HBM（高带宽存储器） 的产能。HBM作为人工智能与高性能计算领域的关键存储部件，其战略重要性不言而喻。目前，长鑫存储在合肥与北京的现有工厂已基本处于满载运行状态，扩产势在必行。

长江存储：双线并进，NAND与DRAM产能同步提升

另一方面，长江存储的扩产计划同样雄心勃勃。公司计划在现有厂区基础上，新建第三座晶圆厂。值得注意的是，这座新厂并不仅限于长江存储的传统优势领域——NAND闪存。根据规划，新厂将有约 50%的产能 用于生产 DRAM 芯片，实现产品线的多元化布局。同时，长江存储也在与封装测试厂商合作，共同推进 HBM 产品的制造进程。该新晶圆厂预计于2027年投产。

此外，据《朝鲜日报》报道，长江存储位于武汉的第三工厂项目已于2025年9月正式动工。该项目原计划在2027年量产，但由于近期设备采购与厂房建设进度大幅加快，其量产时间点有望提前至 2026年下半年。

TrendForce的数据显示，2025年长江存储在全球NAND Flash产能中的份额约为 7%-8%。如果三期扩产计划能够顺利推进，业界预测，到2026年其市场份额有望突破 10%，并极有可能超越美光（Micron），跻身全球第四大存储芯片制造商之列。

市场竞争加剧，速度与稳定成关键

值得关注的是，长江存储此次扩产正值NAND Flash市场进入新一轮周期。与DRAM市场相比，NAND领域的竞争格局更为复杂和激烈。市场上主要的参与者除了长江存储，还包括韩国的三星电子（Samsung）、SK海力士（SK Hynix），美国的美光以及日本的铠侠（Kioxia）等巨头。

尽管人工智能、数据中心和高性能计算的蓬勃发展，持续推升着全球对NAND与DRAM的整体需求，但在供给端，各大厂商的扩产与技术竞赛从未停歇。对于正在崛起的国产存储厂商而言，更快的扩产节奏与更稳定的产品交付能力，将成为其抢占有限市场空间、建立客户信任的核心竞争力。

在半导体这个技术密集、资本密集的领域，每一步产能扩张都牵动着产业链的神经。长鑫与长江的同步行动，不仅反映了企业对市场前景的判断，也预示着国产存储芯片在全球供应链中的角色将变得越来越重要。对于关注智能 & 数据 & 云发展趋势的开发者与技术从业者而言，上游核心硬件的自主化进程，是支撑未来计算机基础架构创新的重要基石。更多关于芯片、算力与前沿技术的深度讨论，欢迎在云栈社区交流分享。

消息数据来源：经济日报、路透社、TrendForce

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