瑞萨中国及印度市场高管履新，同步发布汽车SoC与3nm TCAM新技术

瑞萨电子近日宣布了两项重要的人事任命。拥有26年半导体行业资历的刘芳（Yvonne Liu）正式出任集团副总裁兼中国总裁，该任命自2026年3月1日起生效。她曾在恩智浦半导体担任高级管理职务，负责大中华区汽车业务。在新的岗位上，刘芳将全面负责瑞萨在中国的运营与战略执行，致力于深化客户与生态合作，推动公司在这个全球关键的技术市场持续增长。

与此同时，Malini Narayanamoorthi被任命为集团副总裁兼印度总裁，任命同样于2026年3月1日生效。此前，她作为印度国家经理兼模拟混合信号产品集团副总裁，为拓展瑞萨在印度的业务发挥了关键作用。履新后，她将加速公司在印度的布局，挖掘当地技术人才，并把握与国家级项目相符的新兴机遇。

瑞萨电子CEO Hidetoshi Shibata（柴田英利）对此表示：“印度和中国始终是瑞萨重要的长期增长市场。随着Malini与Yvonne正式履新，我们将进一步深化客户关系、提升执行力，强化公司在上述重要区域的综合竞争力。”刘芳与Malini均将直接向CEO汇报工作。

瑞萨电子着眼未来，推出新型存储器和SoC技术

在近期举行的ISSCC 2026（国际固态电路会议）上，瑞萨电子还重点展示了一系列面向未来的汽车电子核心技术。这些技术包括用于软件定义车辆（SDV）架构中多域电子控制单元（ECU）的三种新SoC技术，以及专为汽车SoC设计的可配置3纳米三进制内容寻址存储器（TCAM）架构。这些进展的共同主线是集中式计算、异构集成，以及针对性能与ISO 26262功能安全标准优化的内存架构。

面向多域汽车ECU的芯片组架构

瑞萨首次发布了三款面向高性能汽车多域ECU的SoC技术。这些芯片需要能同时处理异构工作负载，并在日益复杂的芯片结构中维持最高的ASIL D安全等级。

上述技术已在R-Car X5H设备中实现。以下是三项核心技术的具体阐述：

改进 UCIe
为支持可扩展的芯片集成，瑞萨开发了一种专有的芯片组架构。该架构将标准的UCIe（通用芯片互连）接口与基于RegionID的访问控制机制相结合。传统UCIe实现不传输RegionID，而瑞萨的方案将其映射到物理地址空间，编码到UCIe区域中并在芯片间传输。这使得内存管理单元和实时内核能够跨芯片实施安全的访问控制，实现功能安全所需的无干扰（FFI）。测试证实，该UCIe接口支持高达51.2 GB/s的传输速率。

NPU的时钟架构
第二项进展旨在应对汽车SoC中神经处理单元（NPU）规模增长带来的挑战。NPU面积相比前代扩大了约1.5倍，导致共享时钟源与分布式电路间的时钟延迟增加。瑞萨通过重新设计时钟架构来解决这一问题，将时钟脉冲发生器（CPG）从模块级划分为子模块级的微型CPG（mCPG）。这种配置能有效降低时钟延迟，满足大型AI加速器的时序要求。

为确保汽车级的零缺陷质量，瑞萨将测试电路集成到分层CPG结构中，并统一了用户时钟和测试时钟的信号路径。在测试模式下，上下层mCPG同步到同一时钟源，实现统一的相位调整，从而降低了多层时钟生成带来的同步复杂性。

扩展功率域
第三项技术聚焦于电源效率与安全性。该SoC集成了超过90个电源域，并采用精细的电源门控技术，可根据工作负载将功耗控制在毫瓦到数十瓦之间。瑞萨将电源开关分为环形和行状结构：上电时，环形开关抑制浪涌电流；行状开关则均衡各域阻抗。与传统设计相比，这种结构可将IR压降降低约13%。

为确保安全，SoC采用双核锁步（DCLS）配置，主核与校验核配备独立的电源开关和控制器。通过环回监控每个电源开关的门极信号，可以检测关断状态故障。此外，耐温度漂移的数字电压监控器可将老化容限提高1.4 mV。

适用于汽车SoC的可配置3纳米TCAM

在另一份公告中，瑞萨详细介绍了一种可配置的3纳米TCAM架构，旨在将TCAM的应用从网络领域扩展至汽车级SoC。

该设计结合了硬宏和编译器支持的软宏自动生成功能。硬宏支持8到64位的搜索键宽度和32到128的条目深度。设计者可以组合这些模块，在单个宏中创建如256位 x 4,096条目的大型配置。据报道，这种方法实现了5.27 Mb/mm²的存储密度。

为降低搜索能耗，每个硬宏都集成了全不匹配检测电路，并实现了两阶段流水线搜索。第一阶段判断所有条目是否不匹配，第二阶段决定继续或停止。在64位至256位 x 512条目的配置中，对于大于64位的键，采用列流水线搜索最多可降低71.1%的能耗；对于64位或更小的键，采用行流水线搜索最多可降低65.3%的能耗。在256位 x 512条目的实现中，TCAM在1.7 GHz时钟频率下实现了0.167 fJ/bit的搜索能耗。

瑞萨还加入了增强功能安全性的设计。传统上，由于同一地址的TCAM位单元物理相邻，双位软错误无法通过SECDED ECC纠正。瑞萨通过将奇数位和偶数位数据总线分离，增加了用户数据位与奇偶校验位间的物理距离，从而将潜在的双位错误转换为可纠正的单位事件。专用于ECC奇偶校验的SRAM以及独立的地址解码器，也提升了对错误地址写入的检测能力。

目前，这些新技术正通过R-Car X5H等设备进入产品化阶段。随着3纳米制造技术的成熟，预计它们将在汽车电子领域得到更广泛的应用。欢迎关注云栈社区，获取更多前沿技术资讯与深度解读。