过去三年，功率半导体市场可谓坐了一趟“过山车”。2022年行业以高景气度收尾，但到了2023年，市场迅速进入去库存周期，产品价格开始松动，产能利用率也随之下降。2024年，虽然部分细分赛道有所回暖，但整个行业仍处于修复阶段。真正的拐点出现在2025年第四季度，市场开始了结构性的复苏。
进入2026年，功率半导体中的一个重要细分领域——MOSFET，迎来了久违的密集涨价潮。无论是国际巨头还是本土龙头企业，都相继发出了调价通知函。这次涨价的幅度普遍在10%起，部分高端型号甚至突破了20%。调价窗口主要集中在3到4月，这标志着功率半导体行业正式告别了持续两年的下行周期，迈入了一个结构性的景气新阶段。
功率半导体龙头，齐发涨价函
2月5日，杭州士兰微电子股份有限公司向客户发布了《价格调整通知函》，宣布对部分器件类产品的价格进行上调，调整幅度为10%，新价格自2026年3月1日起正式生效。根据通知函，此次涨价主要涉及三类核心产品：小信号二极管/三极管芯片、沟槽TMBS芯片和MOS类芯片。
2月24日，宏微科技也向客户发出了“涨价通知函”，宣布将对IGBT单管及模块、MOSFET器件进行调价，新价格于2026年3月1日起实施。
继士兰微和宏微科技之后，国产功率半导体厂商新洁能于2026年2月25日发布价格调整通知，宣布对MOSFET产品涨价10%起，自3月1日起发货生效。
同日，捷捷微电宣布，对其MOS系列产品提价10%-20%，自2026年2月1日起，新发出的MOS成品均按新价格执行。
除了上述几家本土厂商，华润微电子也正式发布了重磅价格调整公告，明确自2026年2月1日起，对公司全系列微电子产品启动价格上调，上调幅度最低10%。华润微的主要产品包括以MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品，以光电传感器、烟报传感器、MEMS传感器为主的传感器产品，和以MCU为代表的智能控制产品等。
这场涨价潮并非国产品牌的“独角戏”。全球分立半导体与无源元件龙头Vishay也传出了涨价消息。因关键原材料成本持续大幅攀升，公司将对MOSFET 及 IC 产品线实施紧急价格调整，以缓解成本压力、保障供应稳定。
从整体来看，多数厂商的调整幅度为10%起，涨价产品主要集中在MOSFET领域。值得注意的是，国际大厂英飞凌已在2月初宣布，自4月1日起上调功率开关及相关芯片的价格。
那么，究竟是什么原因导致了MOSFET价格的集体上调呢？
MOSFET，因何进入涨价周期？
从供给端来看，MOSFET的涨价首先源于成本端的刚性挤压，这种压力已经穿透了“原材料-制造-封装”全产业链，企业内部能够消化成本上涨的空间基本耗尽。
封装环节的材料成本首当其冲。对于中低压 MOSFET等成熟产品，封装成本可能超过总成本的50%，而铜、银、钯等关键贵金属在封装材料中占比极高。市场数据显示，截至2026年1月27日收盘，国际银价达到每盎司112.14美元，相比2025年初涨幅高达282%；锡价每吨54876美元，涨幅89%；铜价每吨13024美元，涨幅48%。这些基础材料价格的剧烈波动，直接冲击了MOSFET的生产成本底线。
晶圆代工环节的涨价则进一步加剧了成本压力。MOSFET主要依赖8英寸成熟制程，而8英寸晶圆代工价格的上涨，并非短期突发现象，而是自2025年下半年以来逐步发酵、持续蔓延的行业趋势。台积电、三星等国际大厂逐步将8英寸产线转向CIS、电源管理芯片等高毛利产品，甚至关停部分老旧产线；中芯国际已向部分客户发出涨价通知，对部分产能实施约10%的价格上调，世界先进等代工大厂也迅速跟进。对于采用Fabless（无晶圆厂）模式的MOSFET企业而言，上游代工厂的提价直接挤压了核心利润空间。
与此同时，尽管国产特色工艺代工厂开放了90nm–180nm BCD平台，但高压MOSFET所需的深沟槽、厚外延、背面工艺等模块尚未完全成熟，高端MOSFET产能持续吃紧。这些深入的工艺知识，往往归属于计算机基础的范畴，是芯片设计和制造的核心。
再从需求端来看，单纯的成本推动难以支撑全行业涨价的落地，真正的核心动力来自下游应用市场的需求爆发。
过去两年，尽管消费电子市场疲软拖累了中低压MOSFET的需求，但新能源车、光伏储能、AI服务器电源三大高增长赛道对高压MOSFET的需求持续超预期。
在新能源汽车市场，随着800V高压平台加速渗透，OBC（车载充电机）、DC-DC转换器、热管理系统对650V/750V超结MOSFET需求激增。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能均需使用MOSFET，根据英飞凌数据，未来中高端车型中MOSFET单车用量将有望增至400个。
在光伏与储能市场，随着组串式逆变器向更高功率密度演进，1200V Trench MOSFET成为主流；户用储能系统对高效率、小体积AC-DC拓扑提出新要求，推动SGT（Split-Gate Trench）MOSFET用量翻倍。
在AI服务器市场，2026年全球八大云端服务供应商（CSP）的资本支出预计将突破7100亿美元，年增率高达61%。这一增长主要得益于云服务巨头们对AI应用的不断投资，推动了AI服务器及相关基础设施的建设。与传统服务器相比，单台 AI 服务器的功率密度提升 3-5 倍，对高压 MOSFET、电源管理 MOSFET 的需求量呈指数级增长，直接拉动高端料号需求紧张。英飞凌也在涨价通知中明确提及，AI 数据中心的缺货压力是调价的重要原因。
此外，人形机器人商业化加速，成为高压MOSFET新的增长极。其功率驱动与电源管理单元对器件的动态响应、功率等级等要求严苛，推动了高端产品的技术迭代。
本次MOSFET密集涨价，绝非短期供需失衡的偶然结果，而是行业周期、技术迭代与产业竞争共同作用的必然。
MOSFET竞争，进入新阵地
从技术迭代来看，MOSFET正处于“硅基升级+宽禁带演进”的双重变革期。
硅基MOSFET方面，FinFET之后的GAA（全环绕栅极）技术逐步落地，成为延续CMOS缩放的核心方向，通过结构优化提升电学控制能力，降低寄生损耗，适配高端场景需求；而宽禁带半导体中的碳化硅（SiC）MOSFET，凭借耐高压、低损耗、耐高温的优势，在新能源汽车800V平台、高端光伏逆变器等场景快速渗透。
长期以来，英飞凌、Vishay、安森美、意法半导体等国际巨头凭借数十年技术积累、完整产品线布局及严苛质量管控，在高端MOSFET市场形成绝对垄断，尤其在车规级、工业级高压料号领域，优势难以撼动。其核心竞争力并非单纯的技术领先，更在于长期沉淀的客户认证壁垒与供应链协同能力——车规级MOSFET需通过AEC-Q101、ISO 26262等严苛认证，认证周期长达18-36个月，海外巨头凭借先发优势，已深度绑定全球主流车企与工业设备厂商，形成“认证-供货-迭代”的闭环，构建起国产厂商短期内难以突破的竞争壁垒。
其中，英飞凌CoolSic产品线全年营收达15.3亿欧元，同比增长52%，占公司总营收的12.7%。其位于马来西亚居林的12英寸SiC晶圆厂于去年第二季度实现满产，月产能达2万片，成为全球首个大规模量产12英寸SiC晶圆的企业。
国产MOSFET厂商呈现“头部突围、尾部出清”的分化态势，以华润微、新洁能、士兰微、闻泰科技（安世半导体）、比亚迪半导体为代表的本土龙头，正从中低压领域向高压、车规级领域加速渗透，逐步打破海外垄断，成为行业格局重构的核心力量。这些龙头企业凭借持续的研发投入与IDM（垂直整合制造）模式优势，逐步突破深沟槽、厚外延等核心工艺，在中低压MOSFET领域实现规模化应用，市占率持续提升。
2025年全球功率MOSFET供应商的最终排名暂未披露，但从2024年的排名中可以看到，前十家公司分别为：英飞凌、安森美半导体、意法半导体、恩智浦、安世半导体、威世、东芝、万代半导体、华润微电子、士兰微电子、博世、瑞萨电子。
可以看到，2024年全球功率MOSFET主要供应商中，两家国产功率半导体公司保持在排名前10位，而且排名出现了上升，这表明国产功率MOSFET公司的产品竞争力有所增加。
2025年，国内碳化硅器件技术呈现两大突破：一是高耐压芯片量产落地，比亚迪半导体推出全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片；二是大尺寸晶圆产能释放，株洲中车中低压功率器件产业化项目完成8英寸碳化硅晶圆线通线。
企业层面进展同步推进。华润微2025年碳化硅相关产线基本实现满产，最新一代MOS G4产品已推向市场，并获得各行业标杆客户的认可与批量使用，主驱模块已实现批量上车。士兰微则坦言，子公司士兰明镓因6英寸SiC芯片产线处于爬坡期，前期产出少、折旧高、原材料成本高，叠加市场价格大幅下滑，导致2025年经营性亏损扩大。不过，公司已开发多规格SiC芯片覆盖汽车、新能源、工业等需求，2025年下半年产出逐步提升，预计2026年实现满产。
近日，华润微发布业绩快报，2025年度实现营业总收入110.54亿元，同比增长9.24%；净利润6.61亿元，同比下降13.26%。士兰微也发布2025年年度业绩预告，预计2025年度实现归母净利润为3.30亿元到3.96亿元，同比增长50%到80%。
本次由成本推动和高端需求拉动的涨价潮，无疑为国产MOSFET厂商提供了宝贵的“窗口期”。能否抓住机遇，在高压、车规级等高端市场实现实质性突破，考验着每一家企业的技术沉淀和市场策略。对于电子工程师和采购而言，关注元器件市场动态，理解其背后的技术驱动力和市场逻辑，对于项目规划和成本控制至关重要。欢迎在云栈社区分享你对半导体行业趋势的见解。
发表于 昨天 02:55
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