长鑫存储展会展台（图源：IC China）
巨头减产叠加需求井喷
预计到2026年，全球DRAM存储器将出现严重短缺，需求量将达到380BGB，而产能仅为300BGB，导致约30%的供应缺口。从市场需求分布来看，数据中心服务器领域占据最大份额，为160BGB，多种应用场景如智能穿戴、车载电子、工业控制等总计需求为100BGB，移动设备市场需求为80BGB，个人电脑领域需求为40BGB。
市场预计在2028年左右，数据中心服务器占比将进一步扩大，进一步挤压其他场景，形成高度集中的市场竞争格局。三星、海力士和美光三巨头占据了全球85%至90%的生产能力，近乎垄断了市场上从DDR4到HBM4的高中低端全部产品系列。三星凭借其垂直整合的芯片设计和生产体系，具备更强的成本控制能力，在定价和市场推广策略上拥有更大的自主权。
然而，正是这种极强的市场话语权以及对AI算力服务器高端HBM需求的敏锐嗅觉，使其从2025年初开始逐步将资源向HBM和DDR5x等高附加值产品倾斜。其高层会议透露，DDR4和LPDDRx的产能占比已从2024年初的30%逐渐削减至2025年的个位数，并同步扩张HBM3e、HBM4等高端产品产能。也就是说，三星和海力士宣布减产DDR内存，更多是产线升级为更高端的HBM产线及现有产能倾斜所致，而非单纯的策略性减产。
DDR5-5200 2x16GB 平均价格走势（图源：PCpartpicker）
根据行业价格网站PCpartpicker显示，DDR5-5200 2x16GB高性能电脑内存条的价格在2025年9月开始迎来暴涨。短短半年时间，其价格从最初的约110美元涨至如今的470美元左右，实现了超过4倍的涨幅。市场普遍预计，这种高价态势将至少持续至2028年底。未来两年，DRAM可能仍将供不应求，价格有继续上涨的压力。
从全球DRAM产能结构来看，主要生产商包括三星（Samsung，月均产能约75万片晶圆）、SK海力士（SK Hynix，月均产能约60万片晶圆）、美光（Micron，月均产能约36万片晶圆）以及长鑫存储（CXMT，月均产能约20万片晶圆）。行业总计月产能约为190万片，而2026年的预测产能基本与2025年持平。
全球DRAM厂商产能预测（数据源：Omdia 和 TrendForce）
另一方面，HBM在制程端比传统DRAM复杂得多。生产1颗HBM芯片所消耗的晶圆面积和工序，大约相当于生产3颗传统的DDR5芯片。由于HBM需要复杂的3D堆叠（TSV技术），其产能不仅远低于DRAM，且产线综合良率也不如2D封装的DRAM，这进一步稀释了可供出货的实际比特量。
DRAM GDDR5 vs HBM 技术对比（数据源：AMD）
国产替代浪潮下的黎明前夜
在2025年的第二十二届中国国际半导体博览会上，长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb。该系列推出了UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，旨在覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域。同时，其最新的LPDDR5X产品瞄准移动市场旗舰产品，带宽可达10667Mbps，已处于全球行业第一梯队。
凭借产品性能达标和技术方案不断渗透中高端消费电子，近年来长鑫存储（DRAM）和长江存储（NAND）等国内存储公司在本土手机制造商中的市场份额持续增加。目前，行业内主流手机厂商已完成对国产品牌的供应链引入。随着海外产能进一步紧缩和价格暴涨，本土企业成为了重要的替代渠道。
据行业调研显示，在中国智能手机市场中，长鑫存储的市场份额大约在10%到15%之间。华为、OPPO和小米等安卓手机设备制造商更倾向于选择国内厂商，原因包括确保供应链稳定性、推动国内产业发展，以及国产产品已达到足够成熟的水平，质量风险相对较低。同时，国际供应商的供货紧张和高昂价格也加速了对本土产品的选择。
2025年12月30日，长鑫存储在科创板的IPO申请获得受理。据招股书显示，公司拟募集资金总额为295亿元，将用于“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”“DRAM存储器技术升级项目”和“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”。
长鑫存储募集资金运用计划（数据源：IPO招股书）
自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品的迭代升级。目前，其核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
无论是按产能、出货量还是销售额计算，长鑫存储都已排名全球第四、中国第一，紧随其后的则是南亚科技、华邦电子等厂商。长鑫存储是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，其IPO登陆资本市场意义重大。
从招股书中的营收和利润数据来看，2025年1-9月，长鑫存储营收同比增长97.79%，第三季度营收更是同比大幅增长148.8%，综合毛利率上升至35%。预计2025年全年，长鑫存储的营收将达到550亿至580亿元，净利润将达到20亿至35亿元。这一营收规模，在科创板已上市的半导体公司中，仅次于中芯国际（2024年营收577亿元）。
全球内存市场供需与长鑫存储国产崛起分析图
有人质疑许多企业的终极目标并非发展壮大，而是为了上市变现。但长鑫存储绝非如此，其在招股书对募集资金的分配，深刻体现了其技术驱动发展的核心逻辑。在“DRAM存储器技术升级项目”中拟投入高达130亿元资金，旨在实现向12nm级及更先进制程的跨越，从制程底层革新技术。而在“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”中，公司则表示力争攻克HBM3/3E、3D DRAM等下一代存储架构，对标国际最尖端水平。
将超过60%的资金投入到高风险的新技术研发项目中，这不仅是企业对自身技术实力的信任，更是对其“跳代研发”策略的又一深入贯彻。一边扩展现有产能以巩固市场地位，一边下重注研发HBM等高端产品以填补国内空白。如果长鑫存储能在2027年实现HBM的量产，不仅将极大地缓解国内AI芯片厂商的“内存焦虑”，更将实质性提升其在全球存储产业价值链中的议价权。在基础计算机科学与网络/系统架构中，存储是至关重要的底层支撑，其自主可控对于国家信息产业安全具有战略意义。
目前，在国产低中高端DDR内存产品线上，长鑫存储已经站稳脚跟。此时的IPO募集资金，是为了即将到来的产能升级和技术飞跃做准备，属于国产内存产业黎明前的关键蓄力。
结语
长鑫存储的上市，绝非前期资本投入的终点，而是国产存储产业迈向技术自主与市场自由的起点，是一个真正开始接受全球市场检验、参与资本与技术效率博弈的关键转折点。
技术为帆，资本做桨。在国产替代浪潮的黎明前夜，这艘承载着中国存储希望的巨轮，已然扬帆起航。关于更多半导体与硬件技术的深度讨论，欢迎访问云栈社区进行交流。
文中插图为NotebookLM生成
参考：
- 《长鑫存储-IPO招股书》
- 《2026年全球DRAM与NAND存储芯片市场供需缺口分析及国产厂商份额提升趋势-独家访谈》
发表于 昨天 03:41
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