Intel联手联电启动3nm代工：亚利桑那晶圆厂再添新合作

Intel最近与全球第四大、中国台湾第二大晶圆代工厂联电（UMC）达成了新的合作协议，将共同推进3nm工艺代工。这也是继双方在12nm代工上联手攻关之后，又一次深度合作。

联电早在2017年就放弃了10nm及更先进工艺的竞争，专注于成熟制程，这一点与格芯（GlobalFoundries）类似。结果就是市场份额持续萎缩，2026年第一季度仅占3.9%，不仅被台积电（72.3%）甩开，也落后于三星（6.5%）和中芯国际（5.1%）。

Intel开启IDM 2.0战略后，与联电联手开发12nm FinFET工艺平台，利用位于美国亚利桑那州凤凰城Ocotillo园区的晶圆厂。

目前，该工艺的设计套件预计2026年内交付客户，2027年初完成流片，当年底实现量产，主要面向物联网、Wi-Fi芯片等市场。

如今双方再次携手3nm工艺，同样会使用Ocotillo园区的晶圆厂，但具体动用哪一座设施说法不一——有观点认为是成熟的Fab 12/22/32，也有消息指向最新的Fab 52。

在合作中，Intel将提供强大的制造能力，联电则贡献丰富的成熟工艺代工经验，包括客户资源。

通过这次合作，Intel可以更深入地熟悉代工市场和客户，联电则无需背负巨额投资就能踏入先进工艺战场。关于Intel与联电的后续进展，云栈社区将持续关注，欢迎广大开发者与科技爱好者一同交流。