“一天一个价，甚至一天几个价”，这已成为近期存储市场的真实写照，标志着整个存储行业正迈入一个超级上行周期。
随着AI需求的全面爆发，存储行业的结构性变革日益深刻。进入2025年下半年，行业加速上行态势明显，存储原厂盈利能力持续增强。HBM供应持续紧张，SK海力士2026年底前的产能已基本被顶级AI客户锁定。在此背景下，DRAM作为存储领域的另一关键支柱，其战略地位被重新评估，成为各大厂商竞相争夺的焦点。
面对供不应求、价格飞涨的市场环境，三星电子、SK海力士、美光三大存储巨头正采取迥异的策略，以适应变化并抢占未来制高点。
AI热潮下，存储巨头的产能豪赌
三星：战略缩减HBM，全力扩建DRAM产线
近期，三星电子计划将用于生产HBM3E的第四代1a纳米制程产能削减30%-40%，转而将这些资源投入到第五代1b纳米制程的通用DRAM生产中，预计每月可新增约8万片晶圆产能。
目前，三星的HBM3和HBM3E内存基于1a纳米制程，而规划中的HBM4将采用更先进的1c纳米制程以对抗竞争对手。1b纳米制程则主要服务于DDR5、LPDDR5X等通用DRAM，以及部分GDDR7产品。对三星而言，1b制程DRAM的盈利能力已超越受HBM高价驱动的1a制程，这直接促成了其产能从HBM向通用DRAM的转移。
背后的核心驱动力是利润。据三星内部评估，尽管HBM单价高，但议价能力弱。虽然其HBM3E良率已显著提升并于今年下半年进入英伟达供应链，但供应量有限，且给予大客户的价格低于竞争对手，导致当前HBM3E产品的利润率仅约30%。
此外，随着英伟达、AMD等厂商计划明年将主要需求转向HBM4，HBM3E的市场需求预计将收缩，其售价可能在明年再降30%以上，利润率将进一步承压。
反观通用DRAM，在AI热潮下，由于HBM产能挤占了标准DRAM的晶圆资源，导致基于1b纳米制程的DDR5等产品供不应求、价格坚挺，预期利润率超过60%，远超HBM3E。因此，对三星而言，扩大标准DRAM产出显然更有利可图。
不仅如此，三星还将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，专注于生产数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X，以快速响应 AI服务器 的旺盛需求。
同时，为抢占HBM4先机，三星也在加速提升1c纳米DRAM的产能，目标是在2026年第四季度将月产能提升至20万片晶圆。不过，近期亦有传闻称三星对HBM4的投资趋于谨慎，可能考虑进一步削减。
总体而言，三星通过这一系列果断的产能调整，旨在优化资源配置，提升整体盈利，目标是在2026年实现DRAM营业利润超越SK海力士。
SK海力士：通用DRAM需求激增，1c制程产能计划暴涨8倍
与三星的策略调整相呼应，SK海力士也在调整其产能布局，但其侧重点有所不同。该公司计划将DRAM产能投资目标翻倍，且大部分新增产能仍将投向HBM等数据中心产品。
SK海力士在第三季度财报会上明确表示：“尽管通用DRAM的利润率可能与HBM相近，但我们不会仅因盈利能力的暂时变化就立即调整产能结构。” 这显示出其战略与三星存在差异，SK海力士更倾向于通过满足数据中心对DRAM产品的需求来提升获利，毕竟其在HBM市场占据超过50%的份额，且2026年产能已售罄。
其M15X晶圆厂预计2025年底量产1b纳米DRAM，初期月产能3.5万片，主要用于HBM3E核心芯片生产，以巩固市场优势。
值得注意的是，在加码HBM的同时，SK海力士并未忽视通用DRAM。据报道，该公司计划在明年将第六代1c纳米DRAM的月产能从目前的约2万片大幅提升至16万至19万片，增幅高达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。
此次扩产的1c纳米DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等科技巨头的订单。随着AI模型从训练扩展到推理领域，比HBM更具能效和成本优势的先进通用DRAM需求激增。英伟达新发布的Rubin AI加速器采用GDDR显存，谷歌、OpenAI等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器，这一趋势为SK海力士带来了新的市场机遇。
市场预测，在HBM与通用DRAM的双轮驱动下，SK海力士明年的设施投资额将轻松突破30万亿韩元，营业利润有望超过70万亿韩元，创历史新高。
美光：砍掉消费业务，全面聚焦高价值DRAM
相较于韩国双雄，美光的战略转向更为决绝。该公司终止了移动NAND产品开发，甚至砍掉了消费类品牌Crucial，计划将这部分产能重新分配到毛利率更高的HBM、企业级DRAM和SSD产品上，将所有资源全力投向数据中心市场。
这一决策源于巨大的利润差距。数据显示，2025年上半年，美光数据中心存储芯片的毛利率高达42%，而消费级产品仅为14%。面对英伟达的长期供货协议以及谷歌、亚马逊、微软和Meta等云巨头提出的“无限期订单”，美光选择了聚焦高价值市场。
美光正在全球多地新建或扩建工厂，以提升HBM和高端DRAM产能。例如，其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂，已将原本生产消费级芯片的3条产线全部改造用于生产HBM和数据中心DRAM。
美光科技首席商务官指出，2026年DRAM供应形势将更为严峻，因为HBM生产消耗的晶圆是传统DRAM的三倍，且新建晶圆厂周期长、成本高。美光计划于2026年小批量交付HBM4，并已宣布逐步停产DDR4，将资源向DDR5等高端产品倾斜。不过，为满足智能手机、汽车等领域的需求，美光也表示将适当延长DDR4的生产。
产能转向背后的三重驱动逻辑
存储巨头的产能调整并非偶然，而是利润、需求和技术三重因素共同驱动的战略选择，但各自路径因市场地位与技术储备而异。
- 利润驱动：三星因HBM3E利润率（约30%）远低于通用DDR5（预期超60%），故而转移产能。SK海力士凭借HBM市场主导地位（利润率约70%），在保障HBM的同时扩产通用DRAM以应对利润率变化。美光则直接砍掉低利润消费业务，全力投向高利润数据中心市场。
- 需求变化：AI应用向推理及边缘侧延伸，催生了对GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆发性需求。云巨头的“无限期订单”更是加剧了高端存储的供需矛盾。
- 技术适配：HBM生产工艺复杂，良率爬升慢，挤占了通用DRAM产能。三星以1b制程提升通用产品效率，并押注1c制程用于未来HBM4；SK海力士利用成熟1b制程保障HBM产能，同时快速扩产1c制程通用产品；美光则通过产线改造集中攻关HBM4与高端DRAM技术。
三巨头的博弈与行业未来
在这场存储盛宴中，三巨头正进行着差异化的博弈：
- 三星采取“通用DRAM保量、HBM4抢高端”的双线策略，旨在以规模优势重夺市场份额第一。
- SK海力士实施“HBM稳固龙头、通用DRAM灵活扩张”的双轨战略，紧跟市场需求变化。
- 美光执行“聚焦高端、退出低端”的集中化战略，全力服务于苹果、谷歌等高价客户，提升整体利润率。
存储巨头的产能转向正在重塑整个产业链。消费端内存价格已飙升至难以承受的水平，且这一局面可能持续至2027年。供应链中的模组厂深受影响，纷纷暂停出货以重新评估报价。
可以预见，在AI驱动的超级周期下，存储行业的这场技术军备竞赛 远未停歇。市场从消费驱动转向技术驱动，HBM和DDR5的紧缺将持续传导，直至新的产线大规模投入运营，行业格局或将迎来新的改变。
发表于 前天 13:38
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