SK海力士预测DRAM短缺至2028年，DDR5、HBM与消费级内存供应承压

据行业消息，全球领先的存储芯片制造商SK海力士在近期内部会议中，对未来几年DRAM市场的走势做出了关键研判。该公司认为，全球范围内的DRAM供应紧张局面将持续，这一趋势将一直延续到2028年。此次供应短缺覆盖了广泛的内存类型，包括主流的DDR5/DDR4、面向图形领域的GDDR6/GDDR7，以及移动平台的LPDDR5X/LPDDR6，几乎波及了整个消费电子及商用市场。

随着许多下游厂商的DRAM库存水位见底，数百万PC游戏玩家可能在很长一段时间内面临内存价格大幅上涨的风险。与以往根据市场需求灵活调整产能的做法不同，此次多数DRAM制造商似乎并未计划大幅扩充通用型DRAM的产能。根据SK海力士的规划，其额外扩增的产能将主要用于生产HBM（高带宽内存）和SOCAMM，以全力满足激增的AI GPU与数据中心服务器需求，这并不会缓解普通消费级DRAM的供应压力。

为了应对这一结构性需求转变，SK海力士正加速部署尖端制造设备。据悉，公司已开始安装更多EUV（极紫外）光刻机，并计划在未来两年内总计增加20台，这些新增产能将全部投向HBM和其他高端存储解决方案，意味着其产出将主要服务于数据中心客户，普通消费者难以直接受益。

然而，面对消费级DRAM价格的快速上涨，市场格局可能出现变数。作为主要竞争对手，三星电子据传已开始内部讨论调整生产策略。其讨论焦点在于，是否将现有约30%至40%的1αnm（第四代10nm级别）工艺产线，转换为生产采用1bnm（第五代10nm级别）工艺的通用DRAM产品线，涵盖DDR5、LPDDR5X、LPDDR6和GDDR7等。三星与SK海力士的战略考量存在差异，后者目前在利润丰厚的HBM市场占据主导地位，而三星则可能寻求在更具价格弹性的消费级市场把握机遇。