三星与SK海力士十年投资8740亿美元：扩产存储与EUV加码AI芯片

三星与 SK 海力士联手推出一项十年投资计划，总金额约 1350 万亿韩元（约 8740 亿美元 / 5.9 万亿元人民币），重点用于扩建半导体产能与数据中心。投资覆盖 DRAM、NAND 闪存、逻辑芯片等制造领域，并延伸至 AI 数据中心、电池工厂和显示屏产线，同时涉及蚀刻、光罩等芯片制造设备。

这是一项由韩国政府主导的计划：通过三星与 SK 海力士大规模扩建 DRAM 和 NAND 闪存制造工厂，目标在五年内实现存储芯片产能翻倍，从而引领全球存储市场。预计到十年计划结束时，三星与 SK 海力士将在韩国新增四到五座半导体工厂，巨量投资也会带动大批就业岗位。

TECHPOWERUP 透露，SK 海力士计划到 2027 年再安装 20 台 EUV 光刻机，并已从 ASML 订购 2 台 High-NA EUV 光刻机；三星则已下单 7 台 EUV，目标在 2027 年底前完成安装，同时正将 High-NA EUV 光刻机整合至未来产线。

这一创纪录的产能扩张计划被视为韩国半导体产业的转折点，彰显了韩国政府主导全球芯片与 AI 市场的决心。此前相关晶圆厂计划在 2040 年后投产，如今最新节点提前至 2033 年，凸显出韩国半导体企业积极抢抓 AI 计算需求爆发的机会。