2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代 DRAM 技术平台（下称 G5 平台）进入量产阶段，并同步展出基于该平台的大容量 LPDDR5X 新品。该平台在工艺水平上已对齐行业顶尖量产节点，标志着长鑫存储在高端存储路线上迎来一次关键突破，也为全球存储产业提供了更具创新性和供应链韧性的选择。
核心工艺：多项关键指标突破
G5 平台在关键工艺维度实现多项领先突破：依托四重曝光技术，内存阵列的有源区半间距缩至 11.95nm，已经接近全球顶尖量产的 DRAM 平台制程；通过改变工艺流程并引入新材料，存储电容深宽比达到 45:1；同时开发了适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，把 G5 平台核心功能区高度压缩到 6762nm。
研发环节，长鑫存储在既有工艺模块基础上搭建了独特的数字孪生系统，覆盖设计、开发、制造、维护等产品全生命周期，并在虚拟研发线中建立先进 DRAM 工艺模型，加速迭代。此外，界面工程、鞍形鳍式结构、低 k 间隔层位线等核心工艺也同步实现突破。
新一代产品性能跃升
G5 微缩工艺直接带动存储密度跃升：每片晶圆可产出的裸片数量较第四代平台至少提升 50%*，在能效与成本控制上也表现出明显优势。
本次大会展示的两款基于 G5 平台的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，比上一代同类型产品提升 50%。二者分别采用 496 Ball 与 245 Ball 封装，可覆盖中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景，目前均已进入规模量产阶段。
长鑫存储表示，后续将围绕全球市场需求继续推进技术升级，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业提供底层支撑。
注：有源区半间距、深宽比及核心功能区高度为实际产品测量数据，存在正常测量偏差；*提升比例基于与长鑫第四代技术平台的对比，每片晶圆产出裸片数量（DPW）统一按 8Gb 颗粒基准统计。
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发表于 16 小时前
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