台积电辟谣进军3D DRAM：专注代工业务不会自产存储芯片

近日有报道称，全球最大晶圆代工厂台积电（TSMC）正在考虑进军先进 DRAM 市场，启动 3D DRAM 的生产，而这一动向的幕后推力，据传主要来自最大客户英伟达（NVIDIA）。尽管三星、SK 海力士和美光三大存储原厂都在积极扩张产能，市场供需缺口依然不小。传闻台积电曾考虑建造专门生产 DRAM 的晶圆厂，但这可能需要数年时间才能落地，因此直接收购一座已建成的设施也被列为备选方案，毕竟这能显著压缩产品上市周期。

据 TomsHardware 报道，台积电已向其发送了一份声明，澄清了有关启动 3D DRAM 生产的报道。台积电明确表示，公司始终专注于核心代工业务，使命是成为全球逻辑集成电路行业值得信赖的技术与产能供应者。

这样的回应并不令人意外。尽管台积电已经与 DRAM 制造商展开紧密合作，为客户提供先进封装业务，将 DRAM 整合进系统级封装（SiP），但台积电自身确实缺乏生产 3D DRAM 甚至传统 DRAM 的技术积累。逻辑工艺与存储工艺是两套截然不同的制造体系，即便台积电手握业内最顶尖的逻辑制程，生产 DRAM 仍然需要完全不同的技术路线。3D DRAM 虽然在结构上与传统 DRAM 有所区别，但要在没有传统 DRAM 制造技术的基础上直接开发适配 3D DRAM 的工艺，几乎是不可能完成的任务。

如果台积电确定要切入 DRAM 市场，较为现实的路径仍然是收购一家具备制造能力的小型 DRAM 厂商，而不必从零起步去开发底层技术和构建 IP 体系。否则，要么投入数十亿美元、耗费多年时间进行研发，才能建立起 DRAM 生产能力，而这期间还要直面市场波动的巨大不确定性。

随着定制 HBM 时代的到来，台积电其实未必需要亲自下场制造先进 DRAM。更务实的策略是与现有 DRAM 厂商深化合作，通过生产复杂的 HBM 基础裸片、借助 SoIC 混合键合技术完成 DRAM 集成，从而在持续增长的 DRAM 市场中获取更丰厚的利润。这条路线既规避了重资产投入的风险，又能将台积电在先进封装和逻辑制程上的优势充分发挥出来。