HMDS是什么?
HMDS 的英文全称是 Hexamethyldisilazane,中文名为六甲基二硅氮烷,是光刻胶涂覆前常用的一种增粘剂。它的分子中既有能与硅片表面发生反应的基团,也有疏水基团,因此可以把原本亲水的硅片表面调整为更适合光刻胶附着的疏水表面。
1970年,IBM 的 R.H.Collins 和 F.T.Devers 在美国专利中将其描述为半导体应用的光刻胶粘合促进剂,用于减少化学消耗并提高附着力。早期工艺曾把液态 HMDS 直接涂到晶片上,借高速旋转形成一层膜;随着光刻线条越来越细,HMDS 的处理方式也变得更复杂。
为什么光刻胶需要HMDS?
硅片暴露在空气中会形成约 1—2 nm 厚的氧化硅层,表面富含羟基,具有强亲水性;环境湿度也会使硅晶片表面吸附一层水。不少光刻胶尤其是化学增幅型光刻胶偏疏水,若直接旋涂,会因表面性质不匹配出现去湿现象,形成针孔或岛状缺陷。粘合性较差还可能造成局部间隙或气泡,影响涂胶厚度和均匀性,进而影响光刻和显影效果。
在显影和刻蚀过程中,粘附力不良会导致图案化错误、增加芯片缺陷、降低良率,并可能使刻蚀液进入掩膜与基底之间发生侧向刻蚀。HMDS 可使硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基与光刻胶结合,增强光刻胶与基底的粘附力,从而抑制侧向刻蚀。

在细线条工艺中,HMDS 对图形完整性也很关键。在 28nm 以下工艺节点,光刻胶线条宽度减小至亚微米级,线条边缘受力更集中,若无 HMDS 处理,显影时极易发生线条坍塌。例如在 193nm 浸没式光刻中,使用 HMDS 可使 50nm 线宽的抗坍塌能力提升 20%。对于 3D NAND 等高深宽比(>20:1)结构,HMDS 可降低光刻胶在孔底的接触角,避免填充空洞,提高图形转移质量。
HMDS怎样改变硅片表面?
HMDS 与硅片表面的羟基接触后会发生反应,在表面形成一层均匀的单分子层,厚度约 0.5nm,把亲水的羟基转化为疏水基团,显著提高表面对光刻胶的润湿性和附着力。反应中,HMDS 的硅端与基底结合,把亲水的羟基转成硅氧键;非极性的甲基朝外形成疏水表面,并与光刻胶中的有机分子团形成较强作用力,从而实现基底与光刻胶的良好附着。反应会进行到分子间空间阻碍使其难以继续为止。
处理时先加热去除硅片表面水分,随后 HMDS 与表面羟基反应,在硅片表面生成硅醚结构,消除氢键作用,使极性表面变成非极性表面。若不去除水层,后续显影或刻蚀过程中存在光刻胶分层风险。

工艺实施与过程控制
典型处理包括硅片预处理、HMDS 涂覆和烘烤固化:通过湿法清洗或等离子体处理去除表面污染物并活化表面;采用蒸汽涂覆或旋涂法使 HMDS 均匀覆盖;通常在 100—150℃ 下烘烤 60—120 秒以促进反应。
真空烘箱预处理程序通过抽真空、充入氮气并多次置换,保持一段时间使硅片充分受热、减少表面水分,再抽真空并充入 HMDS 气体,达到设定时间后停止充入 HMDS 药液并保持,使硅片充分与 HMDS 反应,最后再抽真空、充入氮气完成作业。多余 HMDS 蒸汽由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。去水烘烤可加热到 100—200℃,多采用 130—160℃。增粘处理通常在匀胶显影机的增粘单元中完成,HMDS 可以气相引入,也可以直接喷淋在晶圆表面。
增粘单元的控制程序主要设定温度和时间,温度一般控制在 50—180℃,晶圆上温度起伏不能超过 2℃,增粘时间一般设置为 60 秒。晶圆加热温度越高,处理后表面疏水性越好,加热温度与接触角基本呈线性关系;随着加热时间延长,表面疏水性增加后趋于饱和。腔体压力可通过调节排气流量控制,优化压力有利于提高工艺洁净度并使颗粒数下降。HMDS 消耗量一般要求每 300mm 晶圆小于 0.5ml。
增粘处理后晶圆要立即传送到涂胶单元,否则长期暴露在空气中会导致亲油性逐步丧失。若晶圆先涂覆的是抗反射涂层而不是光刻胶,则没有必要做增粘处理,因为抗反射涂层可直接涂覆在亲水表面,与衬底亲和性较好。
技术挑战与效果判断
HMDS 易与空气中的水分反应生成六甲基二硅氧烷(HMDSO),降低处理效果,因此涂覆过程需在低湿度环境(<20%RH)中进行,并使用氮气吹扫保护。未反应的 HMDS 或副产物可能残留形成颗粒污染,先进工艺中常采用真空紫外处理分解残留有机物。
处理效果可通过水接触角测量判断。测量时晶圆水平放置,处理前硅晶圆表面亲水,水接触角约为 40 度;处理后疏水性增强,接触角通常在 65—80 度之间时获得较好效果。增粘处理后晶圆表面水接触角一般要求大于 65 度,300mm 晶圆表面不同点测量的接触角数值变化范围不能超过 ±5 度,这是增粘工艺均匀性的基本要求。水接触角测量只需一小滴去离子水,且对表面非常敏感,可检测不同样品之间以及整个表面上的微小变化。
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