Intel高NA EUV光刻机大规模量产 新晶圆厂2028年底投产

Intel 官方宣布了先进制造的一系列突破性进展：

• 位于亚利桑那州的 Fab 62 晶圆厂将在 2028 年底投产；
• 位于俄勒冈州的 D1X 研发工厂已经将高 NA EUV 光刻机投入大规模量产；
• 位于俄亥俄州的 Ohio One 制造综合体已经吊装第一根大型主桁架；
• 位于加州的光掩模工厂已经开工。

Intel 骄傲地宣称，这些都是美国技术、美国制造的胜利。

亚利桑那州凤凰城的奥科蒂洛园区（Ocotillo Campus）一直是 Intel 的核心生产基地之一，拥有的晶圆工厂数量也是 Intel 全球制造基地中最多的，一共六座，分别是 Fab 12、22、32、42、52、62（都以 2 结尾）。

其中，最新的 Fab 52/62 都是 Intel IDM 2.0 战略和持续扩张计划的一部分，相关投资达 320 亿美元，规划之初都计划用于 Intel 最新工艺，包括 20A 2nm 级、18A 1.8nm 级。

后来，20A 节点被取消，Fab 52 专门用于量产 18A，Panther Lake 三代酷睿 Ultra、Wildcat Lake 三代酷睿和下代至强 Granite Rapids 都出自这里。

Fab 62 此前已完成厂房主体结构封顶，现在已经正式启动生产设备进场安装工作，官方计划 2028 年底前投产。

不过，Fab 62 的大规模量产时间仍未确定，也一直没有指定工艺节点，理论上 18A、14A 都可以。

具体怎么选，自然要看后续节奏：如果 18A 需求旺盛，就作为产能扩充；如果 18A 需求已经可以满足，14A 又推进顺利（比如拿到大客户订单），也可以直接切到 14A。

Intel 是全球首家安装部署高 NA EUV 光刻机的芯片厂商，设备就放在俄勒冈州希尔斯伯勒的 D1X 工厂。这里以研发为主，方便 Intel 吃透新设备的全部特性。

目前，Intel 已经把高 NA EUV 光刻机设备导入大规模量产，用于生产 Panther Lake 等芯片。

位于俄勒冈州罗恩勒阿克雷斯的戈登·摩尔园区（Gordon Moore Park），是 Intel 的前沿工艺研发地点，也是新一代处理器首发量产的基地。

从现有结果看，高 NA EUV 光刻机生产的电路，和低 NA EUV 光刻机生产的规格一致，暂时还没有显现出压倒性的优势。不过它的后续潜力很深，需要慢慢挖掘。

名词解释一下：NA 的意思是数值孔径（Numerical Aperture），是衡量光刻机投影镜头聚光能力、分辨精细度的核心指标。数值越高，能刻出的电路线宽就越细。

高/低 NA EUV 光刻机都使用 13.5 nm 极紫外光源，但高 NA 采用非均匀变形光学设计（横向 4 倍缩小、纵向 8 倍缩小），NA 数值从 0.33 提高到 0.55，单次曝光分辨率从约 13 nm 提高到约 8 nm，晶体管密度理论上最多可提升近 2 倍，能够生产 2 nm、1.4 nm 及以下工艺节点，而且只需单次曝光即可。

当然，高 NA EUV 光刻机的成本也高得多，据称每台需要 3-4 亿美元，低 NA 的则约 1.5 亿美元。

据悉，Intel 是高 NA EUV 光刻机的先行者，首批采购 2~3 台，全部投入俄勒冈研发工厂，预计到 2028 年可累计采购 10 台甚至更多。

台积电则是最大客户，累计采购至少 15 台，分批次交付，N2、N2P、A14 工艺都会用上。

三星节奏最慢、规模最小，首批采购 4-6 台，初期用于 2GAP 2nm 级，后续的 1.4nm 级也会用。

无论哪一家，高 NA EUV 都不是一开始就在芯片所有层使用。一般初期仅用于栅极、金属层等最关键的精细图层，其余图层仍由低 NA EUV 或 ArF 光刻完成，以平衡精度与成本。

在俄亥俄州纽奥尔巴尼的 Ohio One 制造综合体，Intel 完成了第一座晶圆厂第一根大型主桁架的吊装，这是该项目的重要建设节点。

Ohio One 项目是 Intel 长期制造与代工战略的重要一环，目标是持续扩充美国本土的先进工艺芯片产能。

不过，Intel 没有更新 Ohio One 的建设进度时间表，也没有公布第一座晶圆厂的投产时间、投产工艺节点、规划产能。

除了先进制造工艺和产能，Intel 还在美国本土持续加码先进封装技术的研发：

• 俄勒冈工厂是先进逻辑、3D 互连技术的核心研发中心；
• 亚利桑那工厂负责先进封装研发、封测业务；
• 新墨西哥工厂基于先进封装工艺，量产复杂的多芯粒处理器，包括 EMIB、EMIB-T、Foveros。

另外，Intel 近期正在加州圣克拉拉新建一座 EUV 光掩模工厂，不再完全依赖外包。

光掩模（Photomask），又称掩膜版，可以看作光刻机的“底片”，用来把电路图案投影、复刻到晶圆上。传统 ArF 光刻使用透射式掩模，EUV 光刻则需要反射式掩模。

该工厂是 Intel 美国本土供应链的重要一环，将使 Intel 成为美国唯一一家从前沿工艺研发到芯片制造全部环节都落地在美国本土的芯片厂商。

当然，Intel 依旧高度依赖欧洲的设备、日本的材料，但整体而言，Intel 在这条赛道上依旧领先。相比之下，三星、台积电都没有在美国开展前沿工艺研究、建设光掩模工厂的计划，三星还放弃了在德州建设先进封装厂的计划。

Intel 还披露，为了加强本土供应链，相关业务合作已经覆盖 49 个州、4500 多家供应商，每年在美国本土的采购支出超过 290 亿美元。

Intel 强调，维持半导体技术的美国领先，需要的不只是建设晶圆产线，还要工艺研发、先进封装，以及熟练技术工人的培养、完整的配套供应链。

Intel 最后放出豪言：“美国已经准备好了！”（America is ready to build it.）

半导体行业协会（SIA）数据显示，从 1990 到 2022 年，美国本土芯片制造在全球的比例从 37% 大幅下滑至仅仅 10%。