在半导体世界中,我们熟知的晶体三极管(BJT)工作时,电子和空穴两种载流子都会参与导电,因此被称为双极型晶体管。但还有一种重要的晶体管,它仅依靠一种极性的载流子(多数载流子)工作,这就是单极型晶体管。由于它利用电场效应来控制电流,所以得名场效应晶体管,简称场效应管。
场效应管主要分为两大系列:一类是结型场效应管,另一类是绝缘栅场效应管。

如果你现在去搜索“结型场效应管”,会发现相关器件和资料都相当稀少。这不禁让人怀疑它是否已被主流设计所淘汰。没错,在大多数现代电子电路中,结型场效应管的使用频率确实不高。
既然如此,我们就跳过它,直奔今天的主角——在实际应用中广泛使用的绝缘栅场效应管。掌握其基础知识,对于理解现代电子电路至关重要。
什么是MOS管?
绝缘栅场效应管的全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管。这个名字源于其结构:栅极与沟道之间被一层绝缘的氧化物隔开,因此也称绝缘栅场效应管。它的英文缩写是 MOSFET,通常被简称为 MOS管。
MOSFET拥有极高的输入阻抗,轻松达到10⁹Ω以上。这意味著驱动它的栅极几乎不需要电流,只需提供电压即可。根据导电沟道的类型,MOS管分为两大类:N沟道 和 P沟道。无论是N沟道还是P沟道,根据其“默认”状态又可分为 增强型 和 耗尽型。
因此,我们常会听到这样的简称:N沟道增强型MOS管简称为 NMOS,P沟道增强型的则简称为 PMOS。

MOS管的引脚与符号
一个标准的MOS管有三个引脚:
- 栅极 (G):控制端,输入控制电压。
- 漏极 (D):电流的流出端(对于N沟道)或流入端(对于P沟道)。
- 源极 (S):电流的流入端(对于N沟道)或流出端(对于P沟道)。
通常情况下,MOS管内部的衬底是与源极S连接在一起的。此外,在D极和S极之间会有一个由生产工艺形成的寄生二极管。因此,我们常见的MOS管电路符号通常是下面这样的:

细心的你可能会发现,无论符号箭头方向如何,这个寄生二极管的方向总是与箭头指向保持一致。在实际应用中,增强型MOS管(尤其是N沟道和P沟道增强型)的使用更为普遍,耗尽型管子则相对少见。
实战应用:MOS管如何做电子开关?
理论说再多,不如一个实例来得直观。那么,如何用MOS管实现一个简单的电子开关呢?比如用它来点亮或熄灭一个LED?
先来看两个基础的驱动电路图。

我们常说MOS管是电压控制型器件,意味着它导通与否主要取决于栅源之间的电压 U_GS,几乎不需要栅极电流。
- 对于N沟道增强型MOS管:当
U_GS 大于一个特定阈值电压 U_GS(th) 时,管子才会导通。这个 U_GS(th) 通常在2V到4V之间。下图展示了其导通(U_GS > U_GS(th))和截止(U_GS < U_GS(th))的两种状态。

- 对于P沟道增强型MOS管:其导通条件恰好相反。当
U_GS 小于阈值电压 U_GS(th) 时(注意此值为负,通常在-2V到-4V之间),管子导通。下图展示了其两种工作状态。

关键细节:栅极电阻 R_gs 的作用
看到上面的电路图,你可能会问:那个连接在栅极和源极之间的电阻 R_gs 是干什么用的?可不可以省略?
要理解它的作用,我们需要深入到MOS管的物理结构。在MOS管内部,栅极G与源极S、漏极D之间是通过一层二氧化硅绝缘层隔离的。这种结构本质上就构成了一个电容器。

这些 寄生电容(主要是栅源电容 C_gs 和栅漏电容 C_gd)是MOS管固有的,其大小由管子的结构、材料和所加电压决定。
如果电路中没有这个 R_gs 电阻,会发生什么呢?我们以图1的NMOS驱动电路为例,做一个思想实验。

没有 R_gs 时:当我们在G极施加一个5V的控制信号,这个电压会给寄生电容 C_gs 充电。即使随后撤去G极的5V电压,由于没有放电通路,C_gs 上存储的电荷无法释放,栅极电压依然存在,导致MOS管持续导通,开关失去控制。
有了 R_gs 时:情况就完全不同了。

当G极的5V控制信号撤去后,R_gs 为 C_gs 上的电荷提供了泄放路径,栅极电压得以迅速归零,MOS管随即可靠地截止。
因此,R_gs 这个电阻(通常称为栅极泄放电阻或下拉/上拉电阻)至关重要。它能及时释放栅极寄生电容上的电荷,确保MOS管在控制信号消失后能迅速、可靠地关断,从而大大提高电路的抗干扰能力和可靠性,避免因电荷积累导致的误开启。
小结
MOS管凭借其输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点,已成为现代电子电路的核心器件之一。从简单的电子开关、电源开关,到复杂的功率放大器和电机驱动,其身影无处不在。深入理解其电压控制原理、类型区别以及诸如寄生电容、栅极电阻等关键细节,是正确设计和应用MOS管电路的基础。希望这篇文章能帮助你建立起对MOSFET的清晰认知。如果你想深入探讨更多计算机基础领域的电子元件知识,欢迎来云栈社区交流分享。