英特尔展示ZAM内存原型，Z-Angle架构如何挑战HBM？

前一段时间，英特尔宣布与软银子公司 SAIMEMORY 合作，共同开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术。双方明确表示，将聚焦下一代 DRAM 技术，以应对人工智能和高性能计算领域日益增长的需求。

据 Wccftech 报道，在近期举办的 Intel Connection Japan 2026 活动上，英特尔院士兼政府技术首席技术官 Joshua Fryman 与英特尔日本首席执行官大野诚共同出席。令人意外的是，在刚刚确认合作不久后，英特尔便展示了 ZAM 的原型设计，并阐述了这款新内存的未来发展方向。按照规划，英特尔将在 ZAM 项目中承担“初始投资和战略决策”的职责。

那么，ZAM 的核心技术究竟有何不同？它的关键在于 Z-Angle 架构。与现有 HBM 采用的硅通孔垂直连接方式不同，ZAM 采用了交错互联拓扑结构。简单来说，它是在芯片堆叠内部通过对角线方式进行连接，而不是直接垂直钻孔。这种创新的互连方式，被认为是未来提升计算架构效率的关键探索之一。

英特尔强调，ZAM 相比现有解决方案最大的优势在于其卓越的热管理能力。如果将 ZAM 与目前主流的 HBM 技术进行比较，其潜在的提升包括：

• 功耗降低 40% 至 50%
• 通过 Z-Angle 架构简化制造流程
• 每芯片存储容量更高（可达 512GB），这对于复杂的内存管理场景尤为重要

从当前的策略来看，英特尔显然是希望利用 ZAM 的技术优势，与 HBM 在高性能计算市场展开直接竞争。对于开发者而言，关注此类底层硬件创新，有助于更好地理解未来系统的性能边界与优化方向。如果你对这类前沿技术动态和深度解析感兴趣，欢迎在 云栈社区 与更多技术同好交流探讨。