美光18亿美元收购力积电P5晶圆厂，扩大DRAM产能与先进制程布局

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近日，存储行业巨头美光（Micron）正式宣布，已完成对力积电位于中国台湾苗栗铜锣的P5晶圆厂的收购，并取得了该厂区的所有权。这笔交易的总金额达到18亿美元，折合人民币约124.03亿元。

此次收购不仅将直接提升美光在先进制程DRAM（动态随机存取存储器）方面的生产能力，同时也有望增强力积电在成熟制程DRAM产品上的供应能力。根据规划，美光将在未来一年内向力积电授权1Y纳米制程技术，后续还会进一步授权更先进的1Z纳米制程，以提升DDR4等产品的产能与市场供应量。

产能规划与市场影响

根据市场研究机构TrendForce的最新调查数据，2025年第三季度，美光在全球DRAM市场的营收占比约为25.7%，位居全球第三。此次收购及后续的扩产计划如果顺利推进，预计到2027年，美光在全球DRAM产业中的市场份额有望得到进一步提升。

目前，被收购的铜锣P5厂区拥有大约30万平方英尺（约2.79万平方米）的300毫米晶圆无尘室空间。从本月开始，美光将对现有的无尘室设施进行改造升级。此外，公司还计划在2026财年结束前，启动该厂区第二座晶圆厂的建设，预计将新增约27万平方英尺（约2.51万平方米）的无尘室空间。按照这一晶圆制造蓝图，整个铜锣厂区预计将在2028财年开始为美光贡献规模化的产品出货能力。

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从具体进度来看，美光计划在2026至2027年间，分批导入现有设备以及新采购的设备，其中以先进DRAM制程所需的前段制造设备为主，并力争在2027年实现量产。预计铜锣厂区一期项目在2027年下半年所贡献的产能，将相当于美光2026年第四季度全球DRAM总产能的10%以上。

应对市场需求，持续扩张产能

事实上，随着人工智能、高性能计算等领域对HBM（高带宽存储器）、DDR5和LPDDR5X等先进DRAM产品的需求持续快速增长，美光近年来一直在全球范围内加速产能扩建步伐。

除了持续推进美国本土的ID1项目以及在新加坡建设HBM的后段封装产能外，积极收购现有厂房以快速扩大生产布局，已成为美光的重要策略之一。在此次收购力积电P5厂之前，美光已陆续收购了友达光电位于台南的两座厂房、AUO Crystal在台中的厂区，以及Glorytek位于台中的工厂。这些设施主要用于晶圆测试（Wafer Probe）、金属化（Metallization）以及HBM所需的TSV（硅通孔）等关键制造环节。

此外，为了进一步优化整体产能结构，美光还计划将部分位于新加坡的NAND Flash（闪存）工厂的无尘室空间，改造为DRAM的金属化生产线。

这一系列的扩张动作，清晰表明了美光为把握下一代存储技术机遇所做的积极准备。对于关注半导体行业动态的开发者与技术人员而言，巨头们的产能布局直接影响着未来几年关键元器件（如内存）的供应格局与技术演进方向。若想深入了解存储技术或更多底层硬件知识，不妨到云栈社区的相关板块与同行交流探讨。

消息数据来源：美光、路透社、市场研究机构 TrendForce