铠侠第十代NAND送样 CEO喊话需求不减 股价深V反涨9%

7 月 2 日，铠侠股价盘中一度暴跌 14.8%，跌至 7.5 万日元，较 6 月 22 日创下的上市以来最高价 11.27 万日元已下跌约三成。下跌的直接导火索是前一日美股 AI 及半导体股全面下挫——费城半导体指数（SOX）下跌 6.2%，市场担忧超大规模云服务商未来 AI 投资可能放缓。

然而仅隔一日，形势彻底逆转。7 月 3 日，铠侠宣布已开始向 AI 数据中心 客户送样第十代 BiCS FLASH 3D NAND 芯片。与此同时，首席执行官 Hiroo Ota 在媒体发布会上明确表态——“我们没有看到数据中心需求减弱的迹象”，并称公司将“坚定回应市场增长”，暗示不排除进一步增加资本支出。双重催化下，铠侠股价当日上演深 V 逆转——盘中一度重挫逾 12%，随后强势反转，最终涨幅扩大至逾 9%。国际存储巨头同步反弹，SK 海力士涨近 4%，三星电子涨超 6%。

至此，铠侠股价今年累计涨幅已超过 680%，市值突破 2500 亿美元，超越丰田汽车成为日本市值最高的上市公司。

一、第十代 NAND：技术差异化策略

1.1 核心性能指标

铠侠第十代 BiCS FLASH（BiCS10）采用 332 层堆叠架构，首款送样产品为 1Tb TLC（三层单元）闪存芯片，由铠侠位于日本岩手县北上的 Fab2 晶圆厂专属生产。关键性能指标如下：

指标	BiCS10	较BiCS8提升
堆叠层数	332层	+114层（218→332）
存储密度	29+ Gb/mm²	+59%
接口速率	4.8 Gb/s	+33%
输出功耗	—	-34%
读取能效	—	+30%
写入能效	—	+18%

该产品支持 Toggle DDR6.0、SCA 协议及 PI-LTT 技术，主要面向 AI 数据中心和企业级高性能 SSD 市场。

1.2 与众不同的技术路线

值得关注的是，铠侠在层数选择上刻意与竞争对手形成差异化。当行业普遍追逐 400 层以上堆叠时，铠侠存储业务部门总经理 Atsushi Inoue 指出：堆叠层数超过 400 层后，读写操作中激活的存储层增多，功耗反而上升；更薄的存储单元层可能降低电荷保持能力，影响长期可靠性。

铠侠方面表示，332 层设计相较 400 层以上方案，每 GB 成本可降低约 10%，功耗效率提升约 10%，存储单元可靠性提高约 35%。CBA（CMOS 直接键合到阵列）技术自第八代引入以来，已将接口速率从 3.6Gbps 提升至 4.8Gbps，据 EE Times Japan 估计，这一优势令铠侠在技术进程上领先竞争对手约一年。IwaiCosmo Securities 分析师 Kazuyoshi Saito 更认为，得益于晶圆键合技术等优势，铠侠在 NAND 性能和功耗方面领先竞争对手两到四年。

二、市场与竞争格局

2.1 供需基本面：严重错配

当前 NAND 市场正处于历史级别的供需错配周期。摩根士丹利模型显示，2026 年全球 NAND 供应存在 15% 的缺口，2027 年缺口为 9%。AI 相关 NAND 需求将从 2025 年的 205EB 增长至 2026 年的 400EB，2027 年进一步攀升至 609EB。AI 需求占整体 NAND 市场的比重，将从 2025 年的 18% 提升至 2027 年的 41%。

铠侠自身判断，2026 年位元成长率预估为 15-19%，2027 年将呈现需求超过供给（供不应求）的局面。高盛指出，NAND 闪存市场供需持续偏紧，叠加管理层明确将价格与利润率置于优先位置。外资普遍认为，全球 NAND 供给短缺情况将延续至 2027 年；即便进入 2028 年后供给吃紧有望缓解，但若 AI NAND 需求维持年增 60%，市场仍可能出现约 5% 的供给短缺。

2.2 竞争格局：份额追赶中

从市场份额看，2026 年第一季度三星以 29% 的份额稳居首位，SK 海力士以 18% 排名第二，铠侠、美光、闪迪和长江存储份额高度接近，围绕全球第三展开激烈竞争。铠侠在数据中心 NAND 市场的份额明显落后于韩国对手——Omdia 分析师估计，2025 年三星在数据中心闪存市场占据约 40% 份额，SK 海力士约 30%，铠侠仅约 10%。

韩国厂商的优势在于能将 NAND 与 HBM 捆绑销售，借助 HBM 建立的渠道向超大规模数据中心一站式供货。铠侠目前不具备 HBM 产品线，这在一定程度上制约了其在数据中心市场的渗透。但 Omdia 分析师对铠侠的技术竞争力给予正面评价：“铠侠的 NAND 芯片在数据处理速度方面明显优于竞争对手，而这正是美国超大规模数据中心最看重的指标”。

2.3 资本支出：扩张但仍克制

铠侠规划 FY2026 至 FY2028 三个财年年均资本支出约 4700 亿日元（约合 29.4 亿美元），年均研发投入约 2300 亿日元。这一水平较 FY2025 增长 66%，但比 FY2023 的历史峰值 5104 亿日元仍低约 10%。支出重点涵盖第十代量产爬坡、下一代制程基础设施建设及后段制程强化。

CEO 此次表态“若市场增长快于预期，可能增加资本支出”，意味着资本开支仍有上调空间。

三、投资分析

3.1 做多逻辑

（1）供需缺口支撑业绩爆发。 铠侠预计 2026 财年第一季度（4-6 月）营收将达 1.75 万亿日元，营业利润达 1.298 万亿日元，分别环比增长 74.5% 和 117.5%；净利润预计达 8690 亿日元，同比增长 48 倍。业绩的指数级增长是股价狂飙最核心的基本面支撑。

（2）技术领先构筑护城河。 铠侠在 NAND 接口速度和能效方面的领先优势，使其在 AI 推理时代对高密度、低功耗存储的迫切需求中占据有利位置。东京电子顾问 Satoru Oyama 指出，其他芯片制造商“过于重视 DRAM，以至于将 NAND 投资和发展搁置一旁”，“他们根本无法应对当前的 NAND 热潮，这就是为什么需求现在集中在铠侠身上”。

（3）机构密集上调目标价。 高盛 7 月 3 日将目标价从 9.3 万日元上调至 11.6 万日元，评级“买入”；摩根大通 6 月将目标价从 8 万日元上调至 15.5 万日元；花旗将目标价上调至 14 万日元。多家大行对供需偏紧格局及铠侠盈利能力持续看好。

（4）赴美上市预期。 铠侠表示正考虑进行股票分割，并计划在下一财年（2027 年 4 月起）于美国交易所上市美国存托凭证（ADR）。赴美上市有望拓宽投资者基础、提升估值中枢。

3.2 风险因素

（1）估值已极度高企。 年初至今股价涨幅超 680%，市盈率已超 100 倍。伯恩斯坦直言铠侠估值过高，认为股价或有 50% 下跌空间。任何业绩不及预期或需求放缓的信号都可能引发剧烈回调。

（2）AI 投资持续性存疑。 7 月 2 日的暴跌正是源于市场对 AI 投资过热的警惕。如果超大规模云服务商削减 AI 资本支出，NAND 需求将遭受直接冲击。市场对此的争议远未平息。

（3）竞争加剧。 三星、SK 海力士均在推进 300 层以上新一代闪存研发；长江存储市场份额持续快速提升至 13%。随着竞争对手加大 NAND 投入，铠侠的技术领先窗口可能收窄。韩国厂商的 HBM+NAND 捆绑销售策略也对铠侠构成结构性压制。

（4）扩产周期与价格压力。 集邦咨询指出，NAND 合约价格已达历史高点，消费端客户对价格承受力已达极限，预估整体 NAND Flash 合约价涨幅较前几季明显缩减。随着各厂商扩产推进，2028 年后供给紧张可能缓解，价格面临下行压力。

四、总结和展望

铠侠第十代 NAND 送样与 CEO 强硬喊话，在 AI 存储需求争议白热化的节点上，为市场注入了一剂强心针。技术层面，332 层 + CBA 的差异化路线使其在能效和可靠性上形成独特优势；产业层面，NAND 供需缺口预计至少持续至 2027 年，为铠侠业绩爆发提供了宏观背景；资本市场层面，股价的深 V 逆转折射出多空双方对 AI 存储周期可持续性的激烈博弈。

然而，超过 680% 的年内涨幅已将大量乐观预期提前定价。在当前价位，投资者既要看到供需错配带来的业绩爆发力，也需警惕高估值下的脆弱性——任何需求预期反转或竞争格局变化，都可能触发比 7 月 2 日更剧烈的回调。 第十代 NAND 从送样到 2027 年量产仍有较长周期，这期间技术验证、客户导入和产能爬坡存在诸多不确定性。对于追求安全边际的投资者而言，当前估值水平需要极其审慎的风险评估。

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