英飞凌全球首发 300mm 碳化硅晶圆，单片产出提升 2.3 倍

11 月 9 日，英飞凌科技股份公司宣布，其奥地利菲拉赫工厂已经成功将 300 mm 碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件。这也让英飞凌成为全球首家在半导体制造全规模环境中跑通该工艺的企业。此次加工完全依托工厂现有的硅半导体制造设备完成，不需要新建专用产线。

300 mm 晶圆到底能带来什么变化？相较于目前主流的 200 mm 晶圆，300 mm 晶圆的直径更大，单片晶圆可产出的芯片数量约为 200 mm 晶圆的 2.3 倍，有望提升生产效率并进一步优化制造成本。

在应用层面，碳化硅材料具备低损耗、高功率密度以及耐高压高温等特性。英飞凌计划与客户及合作伙伴共同规划 300 mm 碳化硅技术的量产时机，同时继续推进现有的 200 mm 碳化硅制造路线图。

此外，英飞凌在德国德累斯顿工厂验证了冷切割（Cold Split）技术在 300 mm 碳化硅晶圆上的可行性。相比传统线锯切割工艺，冷切割从碳化硅晶锭分离晶圆时，能够减少材料损耗并缩短加工时间，从而以更低的资本支出从同一晶锭中获取更多晶圆。

在半导体材料布局方面，英飞凌目前生产硅、碳化硅和氮化镓三种半导体产品。2026 年 10 月 27 日，该公司宣布投资约 11 亿欧元，在菲拉赫建设 300 mm 氮化镓（GaN）功率半导体量产基地。此次碳化硅领域的技术进展，正是其 300 mm 晶圆平台化思路在宽禁带半导体材料上的延伸。