三星率先推进2nm HBM逻辑芯片开发，瞄准2026年HBM4量产

一、三星正开发 4~2nm 定制 HBM 基础裸片

据韩媒 ZDNet 报道，三星电子计划在 HBM4 之后，延续其制程优势策略，推出覆盖 4nm 至 2nm 的全系列定制化 HBM 基础裸片解决方案。

此前，三星已为计划于 2026 年量产的第六代 HBM（即 HBM4）配备了 4nm 逻辑芯片。而最新的进展显示，三星首次将用于定制化 HBM 的逻辑芯片迁移至了更先进的 2nm 代工工艺。

这一举措标志着 HBM 技术迭代的重要革新：HBM4 摒弃了传统的 DRAM 工艺，转而采用代工工艺来制造逻辑芯片，这凸显了先进代工制程在提升性能与能效方面的显著优势。

与竞争对手相比，三星采用 4nm 工艺的 HBM4 逻辑芯片，相较于海力士所采用的台积电 12nm 工艺，在理论上形成了显著的性能竞争优势。这项定制化方案由三星系统 LSI 业务部门新设立的定制 SoC 团队专门负责，旨在更精准地对接客户的专属需求。

二、2nm HBM 应用前景与产业规划

随着 AI 模型复杂度激增，高阶 AI 加速器（XPU）受限于核心芯片面积，将部分电路功能“卸载”至 HBM 的基础裸片，已成为突破算力瓶颈的关键路径。因此，搭载 2nm 逻辑芯片的定制化 HBM，在超高性能 AI 加速器领域需求旺盛，其目标客户直指英伟达、AMD 等头部企业。

三星正在构建从 4nm 到 2nm 的完整工艺矩阵，通过在其 HBM 逻辑芯片中集成客户所需的定制功能，以满足不同应用场景下的多元化需求。这种围绕人工智能与高性能计算场景的深度定制，将是未来竞争的核心。

产业层面，定制化 HBM 的大规模商用预计将于 2027 年，随着第七代 HBM（即 HBM4E）的落地而正式启动，届时将开启行业普及的新阶段。三星目前正同步推进逻辑芯片的工艺迭代与混合键合等先进封装技术，以确保其技术路线能够完美匹配 HBM4E 的量产时间节点。

想要了解更多详细信息，可以参考此前的技术路线分析：HBM 全代际参数对比表（HBM路线图）。

对于关注前沿半导体与计算机基础架构进展的开发者而言，三星在 2nm HBM 逻辑芯片上的布局，无疑预示着下一代高性能计算与存储解决方案的激烈竞争已拉开序幕。想与更多同行交流此类硬核技术趋势，欢迎来到云栈社区参与讨论。