AI基础设施建设推高存储需求，NAND闪存Q3营收环比增长16.5%

根据TrendForce发布的最新研究报告，2025年第三季度，受云服务供应商持续扩大人工智能（AI）基础设施建设影响，市场对企业级SSD的需求保持强劲，带动前五大NAND闪存供应商合计营收环比增长16.5%，逼近171亿美元。上半年原厂的减产措施效果显现，加之企业级SSD销售占比提高拉动了平均销售价格，下半年供需失衡的情况得到显著改善。

具体来看各厂商表现：

• 三星位居第一，得益于企业级SSD销售，营收环比增长15.4%至60亿美元，市场份额达32.3%。
• SK海力士群组（含Solidigm）排名第二，专注于满足生成式AI需求的QLC企业级SSD贡献突出，营收环比增长5.7%至35.3亿美元，市场份额为19%。
• 铠侠位列第三，受益于AI服务器需求及智能手机季节性调整，营收环比大幅增长33.1%至28.4亿美元，市场份额为15.3%。
• 美光排名第四，得益于数据中心SSD出货量创新高，营收环比增长15.4%至24.2亿美元，市场份额为13%。
• 闪迪排名第五，营收为23.1亿美元，环比增长21.4%，增长动力主要来自云端及边缘市场应用，市场份额为12.4%。

展望2025年第四季度，AI应用将继续推升云服务商对高性能TLC/QLC企业级SSD的需求。在库存回归正常水平及制程转换导致自然损耗的共同作用下，出货量增长将受到限制。TrendForce预计NAND闪存价格将持续上涨，涨幅介于20%-25%之间，进而带动厂商营收进一步增长。

在DRAM现货市场，TrendForce的最新监测显示，临近年底，不同类型的产品价格走势出现分化。
DDR5与DDR3颗粒在经历前期大幅上涨后，本周出现温和回调，主要原因在于部分现货交易商进行年底获利了结操作。然而，这一短期调整并未改变市场整体供应紧张的格局。
DDR4价格则继续保持上行态势，其中16Gb颗粒需求尤为强势，推动现货价进一步上涨。主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的平均现货价从上周（12月3日）的16.729美元上涨至本周（12月9日）的17.064美元，涨幅达2.00%。报告分析认为，这些短期波动不会影响DRAM合约价在未来持续大幅上涨的趋势。

NAND Flash现货市场方面，尽管前期涨幅显著，但本周涨势有所放缓。然而，由于供应商在年底前并未增加晶圆投片量，供应端收紧成为支撑价格的关键因素。在市场交投活动偏弱的情况下，晶圆现货价仍在持续刷新高点。本周（12月9日），512Gb TLC晶圆现货价上涨0.28%，达到9.634美元。
总体而言，DRAM与NAND市场均受到供应紧缩的影响，其中DDR4仍是涨势最明确的产品线，而NAND价格则在供应限制下继续维持高位。

存储市场的旺盛需求与价格上涨，直接反映在相关厂商的资本市场表现上。据彭博社报道，存储巨头SK海力士正考虑赴美上市，以缩小其与同行业国际公司之间的估值差距。该公司已向监管机构提交文件，表示“正在评估包括利用库存股在美上市在内的企业增值方案”，但同时也强调“尚未做出最终决定”。
此消息提振了市场信心，SK海力士在韩国的股价当日盘中一度上涨4.8%。2025年以来，其股价累计涨幅已达240%，这主要得益于AI基础设施建设浪潮带动的HBM（高带宽内存）等高端存储产品的强劲需求。

据韩国经济日报披露，多家投资银行提议SK海力士将约1740万股流通股（约占总股本的2.4%）以美国存托凭证的形式在美国上市。分析师指出，此举不仅能吸引更多仅投资美股市场的被动资本，也能通过遵循更严格的披露制度，将公司治理提升至全球标准。首尔Timefolio资产管理公司总经理金南浩补充说明，与发行新股的首次公开募股不同，ADR上市使用的是现有股票，其核心目标在于拓展投资者基础，而非融资。