SK海力士无锡厂DRAM工艺升级至1a，成功绕过EUV光刻机限制

据行业消息，SK海力士已成功将其无锡工厂的DRAM制程工艺，从原有的1z工艺升级至更先进的1a工艺。

目前，该工厂12英寸晶圆月投片量稳定在18万至19万片，其中高达约90%的产能已完成向1a工艺的切换。这次工艺升级始于2024年1月SK海力士在业绩说明会上公布的计划，历时整整两年，最终顺利达成了量产准备。

在DRAM芯片的技术代际划分中，1z与1a工艺同属10纳米级技术范畴。其中，1z为第三代产品，而1a则升级至第四代。按照行业规则，代际越高，芯片在性能与功耗等核心指标上的表现就越优异。这意味着，无锡工厂现已正式具备了量产更高性能DRAM芯片的能力。

此次升级之所以牵动全球半导体行业的神经，根本原因在于无锡工厂在SK海力士全球布局中举足轻重的战略地位。作为核心生产基地，该工厂承担着全球30%至40%的DRAM产能输出，其工艺迭代进度直接左右着全球市场的供需格局。此前，受美国对华半导体设备管制政策影响，外界普遍担忧无锡工厂可能因无法获取关键设备而停滞升级，进而拖累全球产能。而1a工艺的顺利切换，成功打消了这一顾虑。

SK海力士移动设备用DRAM产品 LPDDR5X

一个关键的挑战在于，1a工艺的量产本需依赖极紫外光（EUV）光刻技术。然而，受出口管制限制，EUV光刻机无法进入中国境内，这成了工艺升级的核心障碍。为了突破这一限制，SK海力士创新性地采用了“跨境分工”的生产模式：将需要EUV光刻机加工的精细电路环节留在韩国本土工厂完成，而剩余的大量生产工序则转移至无锡工厂进行。

尽管这种模式显著增加了工艺复杂度和跨境物流成本，但SK海力士仍坚持推进，足见无锡工厂的战略价值——它是企业灵活响应中国及全球市场需求、维持核心竞争力的关键支点。

SK海力士高层此前曾明确表态：“中国工厂不仅对SK海力士意义重大，在全球存储半导体的供需格局中，也是不可或缺的关键生产设施。” 自2006年投产以来，SK海力士在无锡工厂的累计投资额已高达数千亿韩元，持续加码的投入印证了其对该基地的长期重视。

在推进中国工厂升级的同时，SK海力士正加速韩国本土DRAM工厂的技术迭代，重点针对利川的工厂，集中资源推进第六代1c工艺的升级改造。未来，公司有望形成清晰的差异化生产格局：中国无锡工厂主攻通用型DRAM产品，满足全球主流市场的基础需求；韩国本土工厂则聚焦1c等尖端工艺制程，布局高端市场，通过“双基地、差异化”策略巩固其竞争优势。

DRAM 10纳米级工艺演进概览

这里补充说明一下DRAM的工艺命名体系：自20纳米级工艺之后，行业便摒弃了传统的纳米数标注，转而采用字母后缀命名。1x、1y、1z、1a、1b、1c均属于10纳米级（10nm-class）DRAM工艺。按技术成熟度与性能排序，依次为1x＜1y＜1z＜1a＜1b＜1c，分别对应该技术节点的不同代际，每一代迭代都旨在实现核心性能的稳步提升。

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