三星与SK海力士调整NAND闪存产能，AI数据中心需求与国产存储崛起成关键变量

1月21日消息，据《韩国商业报》报道，全球存储巨头三星电子与SK海力士计划在今年缩减闪存（NAND Flash）的晶圆投片量。两家企业规划的产能合计将下降约42万片。

具体来看，三星已开始小幅下调NAND Flash的晶圆产量，预计将从2025年的490万片降至2026年的468万片。SK海力士也呈现类似趋势，计划从2025年的190万片降至2026年的170万片。

要知道，三星和SK海力士合计占据了全球约60%的NAND市场份额，此次减产无疑会进一步加剧市场供应的紧张局面。

图源：韩国商业报

行业分析指出，为何在市场需求向好的背景下，两大巨头却选择收缩产能？这背后主要有三大考量：追求更高利润、进行产能架构转换，以及应对市场竞争。

以高带宽内存（HBM）为例，此前有报道称，SK海力士供应给英伟达的一颗24GB HBM3E堆栈价格约为370美元，而一张高端AI显卡通常需要六颗。下一代HBM4的单颗价格甚至被预期将突破500美元。相比之下，目前DRAM的盈利能力远高于NAND闪存，厂商的资源倾斜方向不言而喻。

此外，随着AI数据中心对大容量固态硬盘（SSD）的需求激增，存储厂商正积极将生产线从原有的TLC（三层单元）架构，转向更适合大容量存储的QLC（四层单元）架构。在转换过程中，提升生产良率需要时间，这自然会导致短期内的产量减少。

图源：经济日报

当然，另一重因素是为了应对国产存储厂商的崛起。自2025年起，长江存储的NAND闪存产量持续攀升，全球占比已达到约5%，并且其产品具备一定的价格优势。三星和SK海力士通过主动减产，可以在一定程度上抵消国产厂商的价格冲击，同时将更多产能分配给利润率更高的服务器和企业级产品，从而实现整体收益的最大化。

市场研究机构TrendForce此前预测，2026年第一季度NAND Flash合约价格将环比上涨33%至38%。IDC的分析也显示，今年NAND Flash容量的供应增长率预计在17%左右，低于近年来的平均水平。这些半导体行业的动态，也经常在云栈社区等技术论坛中被开发者与业内人士所讨论。

消息数据来源：韩国商业报、经济日报、TrendForce