无DRAM缓存配QLC闪存：三星990 Value SSD入门级新品前瞻

三星正在为一款全新的 M.2 NVMe Gen 4 固态硬盘 990 Value SSD 做上市前的最后准备。新品明确瞄准入门级市场，将与 990 EVO Plus、990 PRO 形成差异化布局。

SSD 990 采用无独立 DRAM 缓存方案，依托主机内存缓冲技术（HMB）提升性能。 它搭载三星自研主控芯片，走 PCIe Gen 4 x4 接口。

相比 990 EVO Plus，最大的区别在于闪存：990 极大概率使用 QLC NAND，而 EVO Plus 采用的是 TLC NAND。 写入寿命数据也佐证了这点——1TB 版本标称写入寿命仅 400 TBW，2TB 版本也只有 800 TBW。作为参照，使用 TLC 的 990 EVO Plus 在耐久度上明显更强。保修期也相应缩短至 3 年，远低于高端型号常见的 5 年标准。

性能方面，2TB 版本顺序读取最高 7250 MB/s，1TB 版则为 7150 MB/s，两个容量的顺序写入统一为 6450 MB/s。 这样的速度已经摸到 PCIe Gen 4 时代的高端门槛，对一款无 DRAM 缓存的入门级产品来说，表现相当亮眼。

接口规格上，EVO Plus 提供 Gen 4 x4 或 Gen 5 x2 双接口支持，而 SSD 990 仅支持 Gen 4 x4。目前，两个容量版本已在部分渠道的等待清单中出现。

三星尚未公布最终售价与确切上市时间，但定位更入门的 990 有望以更具吸引力的价格打入市场。