找回密码
立即注册
搜索
发回帖 发新帖

5267

积分

0

好友

675

主题
发表于 1 小时前 | 查看: 6| 回复: 0

看到一组动图,把 TVS 二极管摆放位置对防护效果的影响演示得非常直观,分享给大家。

静电放电很容易损坏敏感的半导体器件。TVS 常用于静电浪涌防护,有一个最基础的原则:尽量靠近端口放置。如果远离端口,很可能起不到应有的保护效果。

理论都明白,但实际感受不到靠近端口与远离端口的区别。下面这张动图可以很直观地说明问题。

方案一:TVS 远离端口

一个 8 kV 的静电冲击打进来,TVS 上的电流在不到一纳秒的时间内就会飙升到 30 A。

如果 TVS 放在距离端口 12 mm 的导线支线上,接地路径再长一点,大约 10 nH 的寄生电感感应出的电压会叠加到钳位电压上。最终到达芯片引脚处的电压,竟高达 393 V,非常恐怖。

TVS二极管经12mm短走线接GND时芯片引脚电压飙升至393V

方案二:TVS 靠近端口放置

同样的 TVS,同样的 8 kV 冲击,TVS 上的电流仍然在 30 A 左右。但把 TVS 紧贴连接器放置,接地过孔就在旁边,接地回路缩短到约 1 nH,芯片端看到的电压就只有大约 47 V 了。

TVS二极管紧贴连接器放置时芯片引脚电压被钳位在47V

对比一下:方案一 393V,方案二 47V。对保护芯片来说,差距是数量级的。

为什么会有这么大的差别?关键在于 PCB 走线和过孔引入的寄生电感。ESD 脉冲的上升沿极快(纳秒级),瞬态电流变化率 $\mathrm{d}i/\mathrm{d}t$ 非常大,哪怕只是 10 nH 的电感,感应出的电压 $L·\mathrm{d}i/\mathrm{d}t$ 也相当可观。防护器件离端口越远,这段寄生电感越大的走线就越会把钳位电压“抬高”,导致真正的浪涌能量还没被旁路掉,就已经把高压送进了后级芯片。

TVS 等防护器件布局的几个实用原则

综合实际工程经验,防护器件的 PCB 布局可以遵循这样几条思路:

  • 初级防护器件尽可能靠近连接器端,后各级防护器件尽量按防护顺序放置
  • 放电回路的路径面积尽可能小,路径不要绕来绕去
  • 尽量把防护输入、输出和被保护电路分开,走线不交叉、不平行
  • 尽量表层布线,减少过孔换层,保持线宽一致
  • 防护器件到地的线路尽量短,到被保护电路的线路也尽量短
  • 走线不要太细,表层 15mil·2OZ 可承受约 1KA(8/20us)冲击,内层应适量加宽

实例:创龙 RV1126B 开发板上的防护设计

手头刚好有一块创龙科技 RV1126B 的开发板,来看看它用了什么保护器件、器件放在什么位置。

创龙TL1126-EVM开发板USB端口旁放置PESDALC10N5VU防护器件

从板子上的布局可以看出,USB 端口旁边紧挨着放置了一颗 PESDALC10N5VU,这是一颗低电容 TVS 阵列(Low Capacitance TVS Array)。

PESDALC10N5VU低电容TVS阵列数据手册描述页

从数据手册来看,这颗器件的所有引脚均能承受 IEC 61000-4-2 标准下 15 kV 的空气放电 ESD 脉冲,满足等级 4 的要求。

PESDALC10N5VU电气特性参数表及钳位电压原理说明

参数表里的关键指标是钳位电压:当 1 A、8/20μs 的脉冲电流通过时,钳位电压典型值为 11 V;当 5 A 时则为 15 V。它的原理也很直观——输入端的瞬间干扰一旦高于 11 V,干扰信号就优先通过靠近接口布局的防护器件就近泄放到 GND,避免进一步流入主控芯片。

其它端口也都有对应的防护器件,最终目的都是保护 RV1126B 这颗低功耗 AI 芯片。4 核 A53、3TOPS NPU,还带 AI-ISP,性能相当可观,而创龙把核心板做到了 35×35 mm 的极致尺寸。单颗芯片就能实现 4 路 1080P AHD 视频采集、鱼眼矫正、拼接融合以及 YOLO 目标检测,在低功耗监控领域确实很有代表性。





上一篇:FPV摄像头选购指南:链路原理、关键参数与模拟数字系统对比
下一篇:WPF 工业上位机实战:Canvas+Viewbox 实现 WinCC 风格液位泵阀画面
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

手机版|小黑屋|网站地图|云栈社区 ( 苏ICP备2022046150号-2 )

GMT+8, 2026-11-6 02:04 , Processed in 0.066093 second(s), 42 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.5

© 2025-2026 云栈社区.

快速回复 返回顶部 返回列表